[发明专利]控制微控制器烧写程序的方法、烧写上位机和存储介质在审

专利信息
申请号: 202111019779.8 申请日: 2021-09-01
公开(公告)号: CN115729571A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 周博;李奇峰 申请(专利权)人: 比亚迪半导体股份有限公司
主分类号: G06F8/61 分类号: G06F8/61;G06F9/24;G06F9/445
代理公司: 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 代理人: 朱鸿雁
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 控制 控制器 程序 方法 上位 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,用于烧写上位机,所述烧写上位机配置有N个具有烧写控制关联性的烧写模式,N为大于1的整数,所述方法包括:

控制所述微控制器依次以N个所述烧写模式进行程序烧写,其中,以第n个烧写模式烧写完成后,回读并校验所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据,所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验失败,则切换至第n+1个烧写模式,所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功,则停止程序烧写,n+1≤N;

获取每个已用烧写模式下所述微控制器的烧写数据的校验结果;

根据所述校验结果确定所述微控制器的最终烧写状态。

2.根据权利要求1所述的控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,所述根据所述校验结果确定所述微控制器的最终烧写状态,包括:

若N个所述烧写模式下所述微控制器的烧写数据均校验失败,则确定所述微控制器烧写失败;

若N个所述烧写模式中的任意一个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功,则确定所述微控制器烧写成功。

3.根据权利要求1所述的控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,N=3,三个烧写模式包括第一烧写模式、第二烧写模式和第三烧写模式,其中,所述第一烧写模式配置有第一烧写速率和直接存储体存取烧写格式,所述第二烧写模式配置有第二烧写速率和直接存储体存取烧写格式以及每笔烧写时间间隔为所述第一烧写格式的预设倍数,所述第三烧写模式配置有第三烧写速率和单笔数据烧写格式且每笔数据烧写均反馈校验信息,其中,所述第一烧写速率小于等于所述微控制器的最大烧写速率,所述第二烧写速率小于所述第一烧写速率,所述第三烧写速率小于所述第二烧写速率。

4.根据权利要求3所述的控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,所述第一烧写速率等于所述微控制器的最大烧写速率,所述预设倍数为两倍。

5.根据权利要求3或4所述的控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,所述方法包括:

控制微控制器以所述第一烧写模式烧写数据;

在数据烧写完成后,回读并校验所述第一烧写模式下所述微控制器的烧写数据;

所述第一烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功,则确定所述微控制器烧写成功;

所述第一烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验失败,则切换至所述第二烧写模式。

6.根据权利要求5所述的控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,所述方法还包括:

控制所述微控制器以所述第二烧写模式烧写数据;

在数据烧写完成后,回读并校验所述第二烧写模式下所述微控制器的烧写数据;

所述第二烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功,则确定所述微控制器烧写成功;

所述第二烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验失败,则切换至所述第三烧写模式。

7.根据权利要求6所述的控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,所述方法还包括:

控制所述微控制器以所述第三烧写模式烧写数据,其中,将整个烧写过程拆分为多笔烧写;

获取每笔烧写反馈的校验信息;

根据所述校验信息确定多笔烧写均校验成功,则确定所述微控制器烧写成功;

根据所述校验信息确定多笔烧写中的任意一笔烧写校验失败,则确定所述微控制器为不良品。

8.根据权利要求1所述的控制微控制器烧写程序的方法,其特征在于,所述方法还包括:

记录每个烧写模式的使用次数;

根据每个所述烧写模式的使用次数确定当前烧写环境的稳定性,并进行稳定性提示。

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