[发明专利]Ba3

权利要求书

1.一种紫外双折射晶体，其特征在于，化学式为Ba₃Sc₂(BO₃)₄，为中心对称结构，属三方晶系，空间群为P-3m1，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝120°，Z＝1，

2.一种如权利要求1所述的紫外双折射晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将含钡化合物、含钪化合物和含硼化合物按比例配成原料粉，在铂坩埚中加热，先进行预烧，后降至室温，研磨后再进行焙烧，降温得Ba₃Sc₂(BO₃)₄粉末；

将Ba₃Sc₂(BO₃)₄粉末与助熔剂混合均匀得到晶体生长料，将晶体生长料置于晶体生长炉中，升温至熔融态，先进行一次降温至晶体生长温度，生长完毕后将晶体提至熔体液面以上，再进行二次降温至室温得到Ba₃Sc₂(BO₃)₄晶体。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述一次降温的速率为0.5～2℃/h，所述二次降温的速率为5～15℃。

4.一种如权利要求1所述的紫外双折射晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将含钡化合物、含钪化合物、含硼化合物按比例配成原料粉，与助熔剂混合后，在铂坩埚中加热至熔融态，降至室温得到晶体生长料；

将晶体生长料置于晶体生长炉中，升温至熔融态，搅拌，一段降温至晶体生长温度后放入籽晶杆，之后进行二段降温同时转动籽晶杆，待晶体生长完毕后，提升籽晶杆，将附着在籽晶杆上的晶体提离液面，三段降温至室温得到Ba₃Sc₂(BO₃)₄晶体。

5.一种如权利要求1所述的紫外双折射晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将含钡化合物、含钪化合物和含硼化合物按一定比例配成原料粉，在铂坩埚中加热，先进行预烧，后降至室温，研磨后再进行焙烧，降温得Ba₃Sc₂(BO₃)₄粉末；

将Ba₃Sc₂(BO₃)₄粉末与助熔剂混合得到晶体生长料，再将晶体生长料置于晶体生长炉中，升温至熔融态，搅拌，一段降温至晶体生长温度后放入籽晶杆，之后进行二段降温同时转动籽晶杆，待晶体生长完毕后，提升籽晶杆，将附着在籽晶杆上的晶体提离液面，三段降温至室温得到Ba₃Sc₂(BO₃)₄晶体。

6.根据权利要求2或5所述的制备方法，其特征在于，所述预烧的升温速率为30～50℃/h；所述预烧的时间为8～24h；所述预烧的温度为400～600℃；所述焙烧的升温速率为30～50℃/h；所述焙烧的温度为900～1000℃；所述焙烧的时间8～24h。

7.根据权利要求2～5任一所述的制备方法，其特征在于，所述含钡化合物为纯度不低于99.9％的氧化钡、氢氧化钡、卤化钡、碳酸钡、硝酸钡、硫酸钡、乙酸钡或草酸钡；所述含钪化合物为纯度不低于99.9％的氧化钪、氢氧化钪、卤化钪或硝酸钪；所述含硼化合物为纯度不低于99.9％的硼酸或氧化硼；优选地，所述原料粉中钡:钪:硼的摩尔比为3:2:4。

8.根据权利要求2～5任一所述的制备方法，其特征在于，所述助熔剂包括氟化钠、氧化钠、氟化钡、氯化钡、氯化钠、氟化锂、氧化锂、氧化硼或硼酸中的一种或多种；所述原料粉与助熔剂的摩尔比为0.8-1.2:3-7。