[发明专利]一种基于SANI工艺的污水处理装置

说明书

本发明涉及一种基于SANI工艺的污水处理装置，包括至少三个沿水流方向并排平行设置的池体单元，所述池体单元包括沿水流方向依次设置的进水区、生物填料区、出水区，所述进水区包括进水管、导流机构、曝气充氧装置及连通闸，所述生物填料区包括若干填料单元、天桥以及分流墙，所述出水区主体结构与进水区结构中心对称，所述出水区中导流机构、曝气充氧装置及连通闸均与进水区结构相同，所述出水区还包括集水沟、出水管、放空管、排泥结构以及出水堰。本发明在低进水碳氮比及较高污染负荷条件下，仍能良好运行，污水得到有效净化，出水水质良好。

技术领域

本发明属于水处理技术领域，特别是涉及一种基于SANI工艺的污水处理装置，主要应用于生产、生活污水的净化。

背景技术

未经妥善处理而失控排放的含氮污水，对生态环境功能及公共健康安全构成了严重威胁，水体氮污染已成为中国现阶段水环境安全的主要问题之一。为进一步削减氮排放，控制水体氮污染，对脱氮工艺的处理能力提出了更为严格的要求。主流的异养反硝化工艺仍存在需额外投加碳源导致处理成本较高以及产泥量大的问题，而硫自养反硝化工艺具有无需外加碳源，产泥量少，脱氮效率高等优点，成为一个可行的探索方向。

硫酸盐还原、自养反硝化和硝化集成工艺(sulfate reduction，autotrophicdenitrification and nitrification integrated，SANI)是一种基于硫循环、低污泥产出的污水处理新工艺。该工艺不仅可实现去除有机物、脱氮、消毒等水处理要求，还从源头上解决了污水处理产生大量污泥的问题。然而在SANI应用中，常规脱氮装置难以达到SANI工艺所需的交替氧环境以及硫酸盐还原菌所需的严格厌氧环境，并且构建成本高昂。再者，硫自养反硝化、硝化集成工艺在脱氮处理过程产酸和硫酸盐，若不加以处理会产生二次污染。

因此，如何构建一个基于SANI工艺的满足各工段微生物提供适宜的氧环境来强化装置处理污、废水的水处理装置是解决SANI工艺在污水处理应用亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是针对常规脱氮装置布设运行无法满足SANI工艺微生物所需氧环境，硫自养反硝化过程产酸和硫酸盐，不加以处理会产生二次污染的问题，提出一种根据水质、水量交替控制不同工段溶解氧状态的三池式污水处理装置，以提高处理低碳氮比污水的脱氮效果，同时通过填料恢复工段有效减少污泥产出及丝状菌膨胀情况，避免填料单元堵塞导致的出水水质恶化。

为实现上述目的，本发明提供了一种基于SANI工艺的污水处理装置，包括至少三个沿水流方向并排平行设置的池体单元，所述池体单元包括沿水流方向依次设置的进水区、生物填料区、出水区，所述进水区包括设置在底部的进水管、设置在池内的导流机构、设置在所述导流机构后的曝气充氧装置及设置在相邻池体单元之间的连通闸，所述导流机构包括呈弧形设置的导流板以及设置在所述导流板内侧的导流转刷，所述曝气充氧装置包括曝气转刷及控制所述曝气转刷转速的控速单元，所述生物填料区包括若干填料单元、设置在所述填料单元上方的天桥以及设置在所述池体单元轴线上的分流墙，所述填料单元包括模块化蜂巢型的填料框及填充在所述填料框内的第一复配填料与第二复配填料，所述第一复配填料填充在两侧的池体单元内，所述第二复配填料填充在中间的池体单元内，所述出水区主体结构与进水区结构中心对称，所述出水区中导流机构、曝气充氧装置及连通闸均与进水区结构相同，所述出水区还包括设置在两侧的池体单元出水区域的底部的集水沟、设置在所述集水沟底部的出水管、设置在中间的池体单元底部的放空管、设置在所述在侧面的池体单元底部的排泥结构以及设置在所述集水沟两端和中部的出水堰。

优选地，所述池体单元的长宽比约为3:1，宽度≥8m，高度为1.75～2.25m；所述池体单元长宽池壁交界处进行倒角设置，倒角的角度范围为120～150°，池壁厚度为0.2～0.3m。

优选地，所述导流转刷由叶片和转轴组成，所述叶片长度为池体单元宽度的20％～25％，厚度为0.2m，所述转轴距进水管或出水管所在池壁的距离为两倍叶片的长度；