[发明专利]集成电路及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202111015288.6 申请日: 2021-08-31
公开(公告)号: CN114121784A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 彭士玮;萧志民;曾健庭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/8234
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括:

电源轨组,在第一方向上延伸,配置为提供第一供给电压或第二供给电压,并且位于衬底的背侧的第一层级上;

有源区域组,在所述第一方向上延伸,并且位于所述衬底的与所述背侧相对的前侧的第二层级上,所述第二层级与所述第一层级不同,并且所述有源区域组与所述电源轨组重叠;

第一导线组,在与所述第一方向不同的第二方向上延伸,位于所述衬底的所述背侧的第三层级上,所述第三层级与所述第一层级和所述第二层级不同,并且与所述有源区域组重叠;

第一通孔组,位于所述有源区域组和所述第一导线组之间,所述第一通孔组将所述有源区域组电耦接至所述第一导线组;以及

第二通孔组,位于所述第一导线组和所述电源轨组之间,所述第二通孔组电耦接所述第一导线组和所述电源轨组。

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述有源区域组包括:

第一有源区域,在所述第一方向上延伸;以及

第二有源区域,在所述第一方向上延伸,并且在所述第二方向上与所述第一有源区域分隔开。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中,所述电源轨组包括:

第一电源轨,在所述第一方向上延伸,配置为向所述第一有源区域提供所述第一供给电压,并且与所述第一有源区域重叠;以及

第二电源轨,在所述第一方向上延伸,配置为向所述第二有源区域提供所述第二供给电压,与所述第二有源区域重叠,并且在所述第二方向上与所述第一电源轨分隔开。

4.根据权利要求3所述的集成电路,其中,所述第一导线组包括:

第一导线,在所述第二方向上延伸,与所述第一有源区域重叠,并且与所述第一电源轨重叠;以及

第二导线,在所述第二方向上延伸,与所述第二有源区域重叠,并且与所述第二电源轨重叠。

5.根据权利要求4所述的集成电路,其中,所述第一通孔组包括:

第一通孔,位于所述第一有源区域和所述第一导线之间,所述第一通孔将所述第一有源区域电耦接至所述第一导线;以及

第二通孔,位于所述第二有源区域和所述第二导线之间,所述第二通孔将所述第二有源区域电耦接至所述第二导线。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中,所述第二通孔组包括:

第三通孔,位于所述第一导线和所述第一电源轨之间,所述第三通孔将所述第一导线电耦接至所述第一电源轨;以及

第四通孔,位于所述第二导线和所述第二电源轨之间,所述第四通孔将所述第二导线电耦接至所述第二电源轨。

7.根据权利要求5所述的集成电路,还包括:

第一导体,至少在所述第一方向或所述第二方向上延伸,位于所述衬底的背侧的所述第三层级上,与所述第一有源区域和所述第二有源区域重叠。

8.根据权利要求7所述的集成电路,还包括:

第三通孔,位于所述第一有源区域的第一漏极/源极和所述第一导体之间,所述第三通孔将所述第一有源区域的所述第一漏极/源极电耦接至所述第一导体;以及

第四通孔,位于所述第二有源区域的第二漏极/源极和所述第一导体之间,所述第四通孔将所述第二有源区域的所述第二漏极/源极电耦接至所述第一导体。

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