[发明专利]集成电路及其制造方法在审
申请号: | 202111015288.6 | 申请日: | 2021-08-31 |
公开(公告)号: | CN114121784A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 彭士玮;萧志民;曾健庭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成电路,包括:
电源轨组,在第一方向上延伸,配置为提供第一供给电压或第二供给电压,并且位于衬底的背侧的第一层级上;
有源区域组,在所述第一方向上延伸,并且位于所述衬底的与所述背侧相对的前侧的第二层级上,所述第二层级与所述第一层级不同,并且所述有源区域组与所述电源轨组重叠;
第一导线组,在与所述第一方向不同的第二方向上延伸,位于所述衬底的所述背侧的第三层级上,所述第三层级与所述第一层级和所述第二层级不同,并且与所述有源区域组重叠;
第一通孔组,位于所述有源区域组和所述第一导线组之间,所述第一通孔组将所述有源区域组电耦接至所述第一导线组;以及
第二通孔组,位于所述第一导线组和所述电源轨组之间,所述第二通孔组电耦接所述第一导线组和所述电源轨组。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述有源区域组包括:
第一有源区域,在所述第一方向上延伸;以及
第二有源区域,在所述第一方向上延伸,并且在所述第二方向上与所述第一有源区域分隔开。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其中,所述电源轨组包括:
第一电源轨,在所述第一方向上延伸,配置为向所述第一有源区域提供所述第一供给电压,并且与所述第一有源区域重叠;以及
第二电源轨,在所述第一方向上延伸,配置为向所述第二有源区域提供所述第二供给电压,与所述第二有源区域重叠,并且在所述第二方向上与所述第一电源轨分隔开。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其中,所述第一导线组包括:
第一导线,在所述第二方向上延伸,与所述第一有源区域重叠,并且与所述第一电源轨重叠;以及
第二导线,在所述第二方向上延伸,与所述第二有源区域重叠,并且与所述第二电源轨重叠。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其中,所述第一通孔组包括:
第一通孔,位于所述第一有源区域和所述第一导线之间,所述第一通孔将所述第一有源区域电耦接至所述第一导线;以及
第二通孔,位于所述第二有源区域和所述第二导线之间,所述第二通孔将所述第二有源区域电耦接至所述第二导线。
6.根据权利要求5所述的集成电路,其中,所述第二通孔组包括:
第三通孔,位于所述第一导线和所述第一电源轨之间,所述第三通孔将所述第一导线电耦接至所述第一电源轨;以及
第四通孔,位于所述第二导线和所述第二电源轨之间,所述第四通孔将所述第二导线电耦接至所述第二电源轨。
7.根据权利要求5所述的集成电路,还包括:
第一导体,至少在所述第一方向或所述第二方向上延伸,位于所述衬底的背侧的所述第三层级上,与所述第一有源区域和所述第二有源区域重叠。
8.根据权利要求7所述的集成电路,还包括:
第三通孔,位于所述第一有源区域的第一漏极/源极和所述第一导体之间,所述第三通孔将所述第一有源区域的所述第一漏极/源极电耦接至所述第一导体;以及
第四通孔,位于所述第二有源区域的第二漏极/源极和所述第一导体之间,所述第四通孔将所述第二有源区域的所述第二漏极/源极电耦接至所述第一导体。
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