[发明专利]一种精细微纳米玻璃结构的加工方法

权利要求书

1.一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；

S2：选择掩膜材料，当掩膜材料为非光刻胶材料，进行S3；当掩膜材料为光刻胶材料，进行S4；

S3：将掩膜薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；

S4：在玻璃基片上涂覆光刻胶；

S5：采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；

S6：根据掩膜材料，当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；

S7：利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。

2.根据权利要求1所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，步骤S1中的玻璃基片材质选自石英玻璃或硼硅玻璃，基片厚度为100μm-2㎜。

3.根据权利要求1所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，步骤S2中非光刻胶材料包括铝、铬、金、钛、非晶硅、多晶硅薄膜中的一种材料或多种材料组合。

4.根据权利要求1或3所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，步骤S2中掩膜材料的厚度为掩膜和玻璃的刻蚀选择比与玻璃刻蚀深度的乘积。

5.根据权利要求1所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，步骤S3中掩模薄膜沉积的方式为溅射、化学气相沉积或电子束蒸发沉积。

6.根据权利要求1所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，步骤S5中的光刻的方式为：当待加工结构的最小尺寸为8nm-1μm时，选择电子束直写曝光、激光直写或步进式光刻的方法；待加工结构的最小尺寸为1μm-100μm时，选择紫外曝光方式。

7.根据权利要求1所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，步骤S6中刻蚀的方式为：当待加工结构的最小尺寸小于10μm时，选用离子束刻蚀或电感耦合反应离子技术刻蚀，当待加工结构的最小尺寸为10μm-100μm时，选用湿法刻蚀、离子束刻蚀或电感耦合反应离子技术刻蚀。

8.根据权利要求1或7所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，当选用电感耦合反应离子技术对玻璃基片进行刻蚀时，所述电感耦合反应离子的氟基气体采用CHF₃、C₂F₆、C₄F₈或CF₄。

9.根据权利要求7所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，电感耦合反应离子刻蚀玻璃基片的气压为35mTorr～120mTorr，气体流量为35sccm-200sccm；刻蚀功率为100W～1400W。

10.根据权利要求7所述的精细微纳米玻璃结构的加工方法，其特征在于，电感耦合反应离子刻蚀玻璃基片的偏置射频功率为200W-500W，刻蚀温度为40℃-60℃。