[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成第一金属布线层；

在所述第一金属布线层上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成第一掩模层和第二掩模层，其中，所述第二掩模层由基于金属的材料制成，并且所述第一掩模层由介电材料制成；

通过蚀刻所述层间绝缘层形成开口；以及

在所述开口中形成第二金属层，其中：

以与所述第一金属布线层靠近的顺序，所述蚀刻停止层包括由铝的碳氧化物和铝的氮氧化物中的至少一种制成的第一子层、由第一基于硅的绝缘材料制成的第二子层以及由与所述第一基于硅的绝缘材料不同的第二基于硅的绝缘材料制成的第三子层，并且所述第一子层在厚度方向具有不一致的铝、氧、碳或氮浓度，

用于形成所述开口的所述蚀刻包括用于蚀刻所述层间绝缘层的第一蚀刻工艺和在所述第一蚀刻工艺之后的以暴露所述第一金属布线层的第二蚀刻工艺，以及

其中，所述第一蚀刻工艺包括形成穿过所述层间绝缘层的第一开口的第一图案化操作和在所述层间绝缘层的上部处形成第二开口的第二图案化操作，

其中，所述第一开口与所述第二开口具有不同的形状，

其中，从所述第一图案化操作开始至形成所述第二开口的所述第二图案化操作结束期间，所述第一开口的下部处的底面保持不变。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：用于形成所述开口的所述蚀刻还包括去除所述第二掩模层的掩模去除工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

在所述掩模去除工艺期间，去除所述第二掩模层的同时蚀刻所述第三子层，并且在第二蚀刻工艺期间，蚀刻所述第一子层和所述第二子层的同时减薄所述第一掩模层，从而使得在从所述掩模去除工艺开始至所述第二蚀刻工艺结束期间，在降低所述开口的底面的同时，降低了所述开口的顶面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

用于形成在厚度方向具有不一致的铝、氧、碳或氮浓度的第一子层包括：

形成铝层；

在所述铝层上方利用NH₃气体、CO₂气体、CO气体中的至少一种气体进行等离子体处理，从而形成在厚度方向具有不一致的铝、氧、碳或氮浓度的铝的碳氧化物或铝的氮氧化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一子层由碳氧化铝和氮氧化铝制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一子层与所述第一金属布线层的顶面接触，以及

所述第二子层与所述第一子层的顶面接触。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二金属层包括阻挡层和位于阻挡层上面的主体层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述主体层包括通孔层和位于通孔层上方的布线层，所述布线层具有锥形的侧壁。