[发明专利]一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置

说明书

本发明涉及一种半导体材料领域，尤其涉及一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置。要解决的技术问题是：氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷。本发明的技术方案为：一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置，包括有工作台、承接板、密封罩和外罩壳等；工作台上方安装有承接板。本发明达到了使光刻胶的顶部区域形成多组V字型槽，由于V字型槽的两侧壁为斜面，斜面面积大于现有矩形槽的竖直平面面积，从而实现增大光刻胶的刻蚀面积，并且V字型槽减少底部光刻胶裸露在有氧环境的面积，极大地避免了氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷的情况的效果。

技术领域

本发明涉及一种半导体材料领域，尤其涉及一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置。

背景技术

现有技术中当薄膜材料经过离子注入后，不再需要光刻胶作为保护层，之后利用等离子体将光刻胶刻蚀去除。

由于光刻胶在去除时，最底层直接与薄膜材料接触的光刻胶暴露在有氧环境中，会导致氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷，故会将光刻胶分为两部分，第一部分为光刻胶的顶部区域，第二部分为与薄膜材料直接接触的底部区域，在有氧环境下对光刻胶的顶部区域先进行刻蚀，然后在氮气环境下对光刻胶的底部区域进行刻蚀，并且在顶部区域开多组矩形贯穿槽，来增大顶部光刻胶的刻蚀面积；

但是由于顶部区域的矩形贯穿槽会使部分底层光刻胶仍处于有氧环境下，并且顶部区域光刻胶厚度会大于底部区域光刻胶，故所述部分仍处于有氧环境下底层光刻胶会预先被刻蚀完，则之后仍然会发生氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷的情况，该球状缺陷在后续工艺中会对产品造成较大影响。

综上，急需一种可以避免氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷的情况的复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置。

发明内容

为了克服光刻胶在去除时，会发生氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷的情况的缺点，提供一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置。

本发明的技术方案为：一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置，包括有承接板，其特征在于：还包括有密封罩、移动组件和开槽组件；承接板上方前侧连接有密封罩；承接板上方前侧固定连接有下框体；下框体内底部的承接板上连接有移动组件；移动组件上连接有开槽组件；

移动组件包括有第一侧板、第一固定板、第一电动滑轨、第二侧板、连接板、第二电动滑轨、第三侧板、伺服电动缸和衔接件；下框体内底部左右两侧承接板上通过第一侧板各连接有一组第一固定板，两组第一固定板上各安装有一组第一电动滑轨；两组第一电动滑轨通过第二侧板安装有连接板；连接板后侧安装有二组第二电动滑轨；两组第二电动滑轨上安装有第三侧板；第三侧板后侧固定连接有伺服电动缸；伺服电动缸的伸缩端下方固定连接有衔接件；衔接件下方连接有开槽组件；

开槽组件包括有输气箱、进气管、切刀、连接管和出气件；衔接件下方连接有输气箱；输气箱左右两侧中部各贯穿连接有一组进气管；输气箱下方中部固定连接有多组切刀；多组切刀前方顶部各贯穿连接有两组连接管，并且每两组连接管前方各贯穿连接有一组出气件。

作为本发明的一种优选技术方案，出气件为椭球型，并且底部开有多组出气孔。

作为本发明的一种优选技术方案，密封罩包括有第一扣件、上罩板、第二扣件、等离子发生器、玻璃罩和把手；下框体后底部开有多组接线孔；下框体左右两侧各安装有一组第一扣件；下框体上方后侧铰接有上罩板；上罩板左右两侧前上方各安装有一组第二扣件；外罩壳内部左右两侧的前中上方各连接一组第二扣件；上罩板内后方中部左右两侧各开有一组安装槽，并且两组安装槽内各安装有一组等离子发生器；上罩板上方中部安装有玻璃罩；玻璃罩前侧，上罩板上方中部安装有把手。