[发明专利]一种自供电式全钙钛矿发光二极管

权利要求书

1.一种自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，包括自下而上依次设置的透明导电基底、载流子传输层、钙钛矿吸光层、衔接层、钙钛矿有源层、载流子注入层、透明电极；其中，所述衔接层为双功能载流子传输层。

2.根据权利要求1所述的自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述衔接层为电子传输材料或空穴传输材料，所述载流子传输层为空穴传输层或电子传输层，所述载流子注入层为空穴注入层或电子注入层。

3.根据权利要求1所述的自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，当衔接层为电子传输材料时，载流子传输层为空穴传输层，载流子注入层为空穴注入层；当衔接层为空穴传输材料时，载流子传输层为电子传输层，载流子注入层为电子注入层。

4.根据权利要求1所述的自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，当衔接层为电子传输材料时，钙钛矿有源层和载流子注入层之间还有一层空穴注入促进层。

5.根据权利要求1所述的自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿吸光层材料对光的吸收范围大于钙钛矿有源层材料。

6.根据权利要求1所述的自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，钙钛矿吸光层为多层结构，当衔接层为电子传输材料时，所述钙钛矿吸光层为自下而上依次设置的第一钙钛矿吸光层、电子传输层、ITO薄膜、空穴传输层和第二钙钛矿吸光层组成的多层结构；当衔接层为空穴传输材料时，所述钙钛矿吸光层为自下而上依次设置的第一钙钛矿吸光层、空穴传输层、ITO薄膜、电子传输层和第二钙钛矿吸光层组成的多层结构。

7.根据权利要求6所述的自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述第一钙钛矿吸光层的材料为(FA)_0.83Cs_0.17Pb(I_0.5Br_0.5)₃、(FA)_0.8Cs_0.2Pb(I_0.7Br_0.3)₃、(FA)_0.6Cs_0.4Pb(I_0.65Br_0.35)₃、Cs_0.05(FA)_0.8(MA)_0.15PbI_2.55Br_0.45或Cs_0.2(FA)_0.8PbI_1.8Br_1.2；第二钙钛矿吸光层的材料为(FA)_0.75Cs_0.25Sn_0.5Pb_0.5I₃、((FA)SnI₃)_0.6((MA)PbI₃)_0.4、(MA)_0.3(FA)_0.7Sn_0.5Pb_0.5I₃或(FA)_0.5(MA)_0.45Cs_0.05Pb_0.5Sn_0.5I₃。

8.根据权利要求2所述的自供电式全钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述衔接层为电子传输材料时，材料为ZnO、Mg:ZnO、ZnO:PEI、BCP、PCBM、C₆₀中的一种或多种，所述空穴传输层的材料为NiO_x、PEDOT:PSS、PTAA中的一种或多种，其中x＝0.85～1。