[发明专利]一种VFTO传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111006132.1 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113740587A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 成林;韩军;丁晖;刘健;韩春阳;卢江平;吴经锋;吴健;郭安祥 | 申请（专利权）人： | 国网陕西省电力公司电力科学研究院;国网陕西省电力公司检修公司;西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R3/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710054 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vfto 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种VFTO传感器，其特征在于，所述VFTO传感器由微纳光纤干涉仪和液态碳酸丙烯酯(4)通过微纳光纤的倏逝场耦合效应结合而成。
2.根据权利要求1所述的一种VFTO传感器，其特征在于，所述微纳光纤干涉仪由掺锗二氧化硅线状微米量级光波导经过两次倏逝场耦合构成，包括环形区域(9)、第一耦合区域(5)和第二耦合区域(8)；
第一耦合区域(5)和第二耦合区域(8)之间的掺锗二氧化硅线状微米量级光波导分别为第一干涉臂(6)和第二干涉臂(7)；其中，第一干涉臂(6)置于液态碳酸丙烯酯(4)中，第二干涉臂(7)置于折射率低于掺锗二氧化硅折射率的固态介质中；
其中，所述掺锗二氧化硅线状微米量级光波导的长度为7cm～10cm。
3.根据权利要求2所述的一种VFTO传感器，其特征在于，所述掺锗二氧化硅线状微米量级光波导的直径为2μm～3μm。
4.根据权利要求2所述的一种VFTO传感器，其特征在于，所述掺锗二氧化硅线状微米量级光波导两端分别用于作为传感器光输入端(10)和传感器光输出端(11)，用于通过锥形光纤与单模光纤连接。
5.根据权利要求2所述的一种VFTO传感器，其特征在于，所述固态介质为固态透明介质。
6.根据权利要求2所述的一种VFTO传感器，其特征在于，还包括：基底；所述微纳光纤干涉仪固定设置于所述基底上；所述基底设置有预留传感区域，所述预留传感区域填充有所述液态碳酸丙烯酯(4)。
7.一种VFTO传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将微纳光纤进行旋拧制备出环形区域(9)；其中，所述微纳光纤为掺锗二氧化硅线状微米量级光波导；所述掺锗二氧化硅线状微米量级光波导的长度为7cm～10cm；
根据第一干涉臂(6)和第二干涉臂(7)的臂长要求以及预设的测量要求，确定第一耦合区域(5)和第二耦合区域(8)；
将第一干涉臂(6)置于液态碳酸丙烯酯(4)中，第二干涉臂(7)置于折射率低于掺锗二氧化硅折射率的固态介质中。
8.根据权利要求7所述的一种VFTO传感器的制备方法，其特征在于，所述掺锗二氧化硅线状微米量级光波导的直径为2μm～3μm。
9.一种权利要求1所述的VFTO传感器的应用，其特征在于，用于对纳秒量级快速暂态过电压进行测量的方法或装置。
10.一种权利要求1所述的VFTO传感器的应用，其特征在于，用于气体绝缘变电站中，对纳秒量级快速暂态过电压进行测量的方法或装置。
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