[发明专利]陶瓷件的加工方法

权利要求书

1.一种陶瓷件的加工方法，用于对经过机械加工的陶瓷件进行表面处理，所述陶瓷件应用于半导体设备中；其特征在于，包括以下步骤：

对所述陶瓷件进行等离子体刻蚀，以去除所述陶瓷件的待处理表面上的损伤和颗粒；包括：

将所述陶瓷件置于刻蚀腔室中；

向所述刻蚀腔室通入工艺气体，以使所述刻蚀腔室的内部压力达到预设压力值；

开启上射频电源，将所述工艺气体激发成等离子体；

控制所述刻蚀腔室内部温度保持在预设刻蚀温度，将所述上射频电源的输出功率调节至第一预设功率值，并将下射频电源的输出功率调节至第二预设功率值，以使所述等离子体在重力作用下轰击所述陶瓷件的待处理表面，并与所述陶瓷件的待处理表面材料以及所述颗粒发生化学反应；其中，所述第二预设功率值等于0W；

采用氨水和双氧水的混合溶液对进行等离子体刻蚀后的所述陶瓷件的待处理表面进行清洗，以去除所述陶瓷件进行等离子体刻蚀的步骤中在所述陶瓷件的待处理表面上产生的固态生成物。

2.根据权利要求1所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，所述工艺气体包括主刻蚀气体和辅助刻蚀气体，其中，所述主刻蚀气体用于在被激发成等离子体后与所述陶瓷件的待处理表面材料以及所述颗粒发生化学反应，并生成所述生成物；

所述辅助刻蚀气体用于在被激发成等离子体后促进所述化学反应进行。

3.根据权利要求2所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，所述陶瓷件由氧化铝制成；所述主刻蚀气体包括氯气；所述辅助刻蚀气体包括惰性气体。

4.根据权利要求2所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，所述主刻蚀气体和所述辅助刻蚀气体的进气流量比小于等于1:1，且大于等于1:3.5。

5.根据权利要求4所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，所述向刻蚀腔室通入工艺气体的步骤包括：

以第一进气流量向所述刻蚀腔室内部通入所述主刻蚀气体，并以第二进气流量向所述刻蚀腔室内部通入所述辅助刻蚀气体；其中，

所述第一进气流量值大于等于150sccm，且小于等于300sccm；所述第二进气流量值大于等于400sccm，且小于等于650sccm。

6.根据权利要求1所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，所述预设压力值大于等于600mTorr，且小于等于900mTorr；

所述第一预设功率值大于等于1800W，且小于等于2200W；

所述预设刻蚀温度大于等于60℃，且小于等于70℃。

7.根据权利要求1所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，在所述对所述陶瓷件进行机械加工的步骤之后，且在所述对所述陶瓷件进行等离子体刻蚀的步骤之前，还包括：

对所述陶瓷件进行烘烤，以烘干所述陶瓷件的待处理表面。

8.根据权利要求1所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，所述对所述陶瓷件的待处理表面进行清洗的步骤包括：

将所述陶瓷件浸泡在清洗溶液中，以去除所述固态生成物；

去除所述陶瓷件的待处理表面上残留的所述清洗溶液。

9.根据权利要求1所述的陶瓷件的加工方法，其特征在于，在所述对所述陶瓷件的待处理表面进行清洗的步骤之后，还包括：

静置所述陶瓷件，直至所述陶瓷件的待处理表面中的应力全部释放。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的陶瓷件加工方法，其特征在于，所述陶瓷件包括用于半导体设备的陶瓷工艺套件和静电卡盘的陶瓷层。