[发明专利]磁存储装置及磁存储装置的制造方法在审
申请号: | 202111003961.4 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN114203699A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 落合隆夫;吉野健一;泽田和也;秋山直纪 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;G11C11/02;G11C16/08;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 制造 方法 | ||
1.一种磁存储装置,具备:
第1导电体;
所述第1导电体上的硅氧化物,所述硅氧化物包含掺杂剂,包括所述第1导电体上的第1部分及在所述第1导电体上与所述第1部分相邻的第2部分,所述第2部分比所述第1部分高,所述第2部分的所述掺杂剂的浓度比所述第1部分的所述掺杂剂的浓度高;
所述硅氧化物的所述第2部分上的第2导电体;及
所述第2导电体上的第1层叠体,所述第1层叠体包括第1磁性层、第2磁性层及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1绝缘层。
2.根据权利要求1所述的磁存储装置,
所述硅氧化物还包括在所述第1导电体上与所述第1部分相邻的第3部分,
所述第3部分与所述第2部分一起夹着所述第1部分,
所述第3部分比所述第1部分高,
所述第3部分的所述掺杂剂的浓度比所述第1部分的所述掺杂剂的浓度高,
所述磁存储装置还包括:
所述硅氧化物的所述第3部分上的第3导电体;及
所述第3导电体上的第2层叠体,所述第2层叠体包括第3磁性层、第4磁性层及所述第3磁性层与所述第4磁性层之间的第2绝缘层。
3.根据权利要求2所述的磁存储装置,
所述第1层叠体位于所述硅氧化物的所述第2部分的正上方,
所述第2层叠体位于所述硅氧化物的所述第3部分的正上方。
4.根据权利要求3所述的磁存储装置,
还具备在所述硅氧化物的所述第1部分上在所述硅氧化物的所述第2部分与所述第3部分之间与所述第2部分及所述第3部分相接的第1绝缘体。
5.根据权利要求1所述的磁存储装置,
所述硅氧化物的所述第1部分包括包含中心的第4部分和包含所述第1部分的表面的区域的第5部分,
所述硅氧化物的所述第4部分的所述掺杂剂的浓度比所述硅氧化物的所述第5部分的所述掺杂剂的浓度低。
6.根据权利要求1所述的磁存储装置,
所述硅氧化物还包括在所述第1导电体上与所述第1部分相邻的第3部分,
所述第3部分的所述掺杂剂的浓度比所述第1部分的所述掺杂剂的浓度高,
所述第1层叠体位于所述硅氧化物的所述第2部分及所述第3部分的正上方。
7.根据权利要求6所述的磁存储装置,
还具备在所述硅氧化物的所述第1部分上在所述硅氧化物的所述第2部分和所述第3部分之间与所述第2部分及所述第3部分相接的第1绝缘体。
8.根据权利要求6所述的磁存储装置,
所述硅氧化物的所述第2部分及所述第3部分沿着第1轴延伸,沿着第2轴排列,
所述第2轴与所述第1轴相交。
9.一种磁存储装置,具备:
第1导电体;
所述第1导电体上的包含掺杂剂的第1硅氧化物;
所述第1导电体上的包含所述掺杂剂的第2硅氧化物;
遍及所述第1硅氧化物上和所述第2硅氧化物上的第2导电体;及
所述第2导电体上的第1层叠体,所述第1层叠体包括第1磁性层、第2磁性层及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1绝缘层。
10.根据权利要求9所述的磁存储装置,
还具备在所述第1导电体上在所述第1硅氧化物和所述第2硅氧化物之间与所述第1硅氧化物及所述第2硅氧化物相接的第1绝缘体。
11.根据权利要求9所述的磁存储装置,
所述第1硅氧化物及所述第2硅氧化物沿着第1轴延伸,沿着第2轴排列,
所述第2轴与所述第1轴相交。
12.根据权利要求1所述的磁存储装置,
所述掺杂剂是砷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的