[发明专利]磁存储装置及磁存储装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202111003961.4 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN114203699A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 落合隆夫;吉野健一;泽田和也;秋山直纪 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;G11C11/02;G11C16/08;G11C16/10
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张轶楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁存储装置,具备:

第1导电体;

所述第1导电体上的硅氧化物,所述硅氧化物包含掺杂剂,包括所述第1导电体上的第1部分及在所述第1导电体上与所述第1部分相邻的第2部分,所述第2部分比所述第1部分高,所述第2部分的所述掺杂剂的浓度比所述第1部分的所述掺杂剂的浓度高;

所述硅氧化物的所述第2部分上的第2导电体;及

所述第2导电体上的第1层叠体,所述第1层叠体包括第1磁性层、第2磁性层及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1绝缘层。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置,

所述硅氧化物还包括在所述第1导电体上与所述第1部分相邻的第3部分,

所述第3部分与所述第2部分一起夹着所述第1部分,

所述第3部分比所述第1部分高,

所述第3部分的所述掺杂剂的浓度比所述第1部分的所述掺杂剂的浓度高,

所述磁存储装置还包括:

所述硅氧化物的所述第3部分上的第3导电体;及

所述第3导电体上的第2层叠体,所述第2层叠体包括第3磁性层、第4磁性层及所述第3磁性层与所述第4磁性层之间的第2绝缘层。

3.根据权利要求2所述的磁存储装置,

所述第1层叠体位于所述硅氧化物的所述第2部分的正上方,

所述第2层叠体位于所述硅氧化物的所述第3部分的正上方。

4.根据权利要求3所述的磁存储装置,

还具备在所述硅氧化物的所述第1部分上在所述硅氧化物的所述第2部分与所述第3部分之间与所述第2部分及所述第3部分相接的第1绝缘体。

5.根据权利要求1所述的磁存储装置,

所述硅氧化物的所述第1部分包括包含中心的第4部分和包含所述第1部分的表面的区域的第5部分,

所述硅氧化物的所述第4部分的所述掺杂剂的浓度比所述硅氧化物的所述第5部分的所述掺杂剂的浓度低。

6.根据权利要求1所述的磁存储装置,

所述硅氧化物还包括在所述第1导电体上与所述第1部分相邻的第3部分,

所述第3部分的所述掺杂剂的浓度比所述第1部分的所述掺杂剂的浓度高,

所述第1层叠体位于所述硅氧化物的所述第2部分及所述第3部分的正上方。

7.根据权利要求6所述的磁存储装置,

还具备在所述硅氧化物的所述第1部分上在所述硅氧化物的所述第2部分和所述第3部分之间与所述第2部分及所述第3部分相接的第1绝缘体。

8.根据权利要求6所述的磁存储装置,

所述硅氧化物的所述第2部分及所述第3部分沿着第1轴延伸,沿着第2轴排列,

所述第2轴与所述第1轴相交。

9.一种磁存储装置,具备:

第1导电体;

所述第1导电体上的包含掺杂剂的第1硅氧化物;

所述第1导电体上的包含所述掺杂剂的第2硅氧化物;

遍及所述第1硅氧化物上和所述第2硅氧化物上的第2导电体;及

所述第2导电体上的第1层叠体,所述第1层叠体包括第1磁性层、第2磁性层及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1绝缘层。

10.根据权利要求9所述的磁存储装置,

还具备在所述第1导电体上在所述第1硅氧化物和所述第2硅氧化物之间与所述第1硅氧化物及所述第2硅氧化物相接的第1绝缘体。

11.根据权利要求9所述的磁存储装置,

所述第1硅氧化物及所述第2硅氧化物沿着第1轴延伸,沿着第2轴排列,

所述第2轴与所述第1轴相交。

12.根据权利要求1所述的磁存储装置,

所述掺杂剂是砷。

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