[发明专利]一种基于四元Rudin-Shapiro光子晶体的光子带阻滤波器结构在审
申请号: | 202111003139.8 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN113534302A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 张亚平 | 申请(专利权)人: | 湖北科技学院 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G02F1/01 |
代理公司: | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人: | 刘喜 |
地址: | 437100 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 rudin shapiro 光子 晶体 带阻滤波器 结构 | ||
1.一种基于四元Rudin-Shapiro光子晶体的光子带阻滤波器结构,其特征在于,四元Rudin-Shapiro光子晶体中Rudin-Shapiro序列的迭代规则为:S0=A,S1=AB,S2=ABAC,S3=ABACABDB,S4=ABACABDBABACDCAC,……,SN=SN-1(A→AB,B→AC,C→DB,D→DC),……,其中N是Rudin-Shapiro序列的序号,SN表示Rudin-Shapiro序列的第N项,A→AB表示将SN-1中的A替换成AB,B→AC表示将SN-1中的B替换成AC,C→DB表示将SN-1中的C替换成DB,D→DC表示将SN-1中的D替换成DC,所述字母A、B、C和D分别表示折射率不同的四种均匀电介质薄片第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层和第四电介质层。
2.根据权利要求1所述一种基于四元Rudin-Shapiro光子晶体的光子带阻滤波器结构,其特征在于,所述第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层和第四电介质层的厚度均为各自折射率对应的1/4光学波长。
3.根据权利要求1或2所述一种基于四元Rudin-Shapiro光子晶体的光子带阻滤波器结构,其特征在于,所述第一电介质层为二氧化钛,第二电介质层为二氧化硅,第三电介质层为冰晶石,第四电介质层为碲化铅。
4.根据权利要求1或2所述一种基于四元Rudin-Shapiro光子晶体的光子带阻滤波器结构,其特征在于,光子带阻滤波器结构的阻带宽度和消光比通过光子晶体的序列序号来调控;光子带阻滤波器结构阻带的位置通过入射角来调控。
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