[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

衬底，所述衬底包括相对设置的第一侧和第二侧；

介电层，设置在所述衬底的第一侧；

第一硅穿孔结构，所述第一硅穿孔结构自所述介电层的顶面向所述衬底的第一侧延伸；

第二硅穿孔结构，所述第二硅穿孔结构自所述衬底的第二侧向所述衬底的第一侧延伸，所述第二硅穿孔结构在所述衬底的第一侧处接触所述第一硅穿孔结构，所述第二硅穿孔结构具有预设的开口宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层中设置有金属衬垫，所述第一硅穿孔结构和所述第二硅穿孔结构分别与所述金属衬垫接触。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一硅穿孔结构在所述介电层的底面形成第一图形，所述第二硅穿孔结构在所述衬底的第一侧形成第二图形，所述第一图形在所述衬底上的投影与所述第二图形在所述衬底上的投影重合。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，以所述第一硅穿孔结构的延伸方向为第一方向，所述第一方向为所述第一硅穿孔结构的轴向方向，沿着所述第一方向，所述第一硅穿孔结构的径向尺寸逐渐减小；

所述第二硅穿孔结构的延伸方向为与第一方向相反的第二方向，所述第二方向为所述第二硅穿孔结构的轴向方向，沿着所述第二方向，所述第二硅穿孔结构的径向尺寸逐渐减小。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第三硅穿孔结构，所述第三硅穿孔结构自所述衬底的第二侧向所述衬底的第一侧延伸，所述第三硅穿孔结构连接所述金属衬垫。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一硅穿孔结构在所述介电层的底面形成第一图形，所述第一图形在所述衬底上的投影范围落在所述金属衬垫在所述衬底上的投影范围中；

所述第二硅穿孔结构在所述衬底的第一侧形成第二图形，所述第三硅穿孔结构在所述衬底的第一侧形成第三图形，所述第二图形和所述第三图形在所述衬底上的投影范围均落在所述金属衬垫在所述衬底上的投影范围中。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述预设的开口宽度为2～20um。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：

提供衬底以及设置在所述衬底上的介电层，所述衬底包括第一侧和第二侧，所述介电层设置在所述衬底的第一侧；

形成第一硅穿孔结构，所述第一硅穿孔结构自所述介电层的顶面向所述衬底的第一侧延伸；

形成第二硅穿孔结构，所述第二硅穿孔结构自所述衬底的第二侧向所述衬底的第一侧延伸，所述第二硅穿孔结构在所述衬底的第一侧处接触所述第一硅穿孔结构，所述第二硅穿孔结构具有预设的开口宽度。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第一硅穿孔结构，包括：

形成第一开孔，所述第一开孔自所述介电层的顶面向所述衬底的第一侧延伸；

形成第一硅穿孔结构，所述第一硅穿孔结构覆盖所述第一开孔；

对所述半导体结构进行第一次退火。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第二硅穿孔结构，包括：

形成第二开孔，所述第二开孔自所述衬底的第二侧向所述衬底的第一侧延伸；

形成第二硅穿孔结构，所述第二硅穿孔结构覆盖所述第二开孔；

对所述半导体结构进行第二次退火。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法，还包括：

回刻所述衬底的第二侧，根据待形成的所述第二硅穿孔结构的长度减薄所述衬底的厚度。