[发明专利]一种场效应管、其制备方法及电子电路

权利要求书

1.一种场效应管，其特征在于，包括：

沟道层，位于衬底上；

控制栅极，位于所述沟道层上；

钝化层，位于所述控制栅极上，所述钝化层具有暴露所述控制栅极的栅极开孔；

栅金属层，位于所述钝化层上，所述栅金属层包括间隔设置的金属栅极和台阶，所述金属栅极通过所述栅极开孔与所述控制栅极电连接；

层间介质层，位于所述栅金属层上，贯穿所述层间介质层和所述钝化层的源极开孔和漏极开孔分别位于所述金属栅极两侧，所述台阶在所述衬底上的正投影位于所述漏极开孔与所述金属栅极之间；

源漏金属层，位于所述层间介质层上，所述源漏金属层包括分别位于所述金属栅极两侧的源极和漏极、以及与所述源极电连接的场板，所述源极通过所述源极开孔与所述沟道层电连接，所述漏极通过所述漏极开孔与所述沟道层电连接；

其中，所述场板从所述源极向所述漏极一侧延伸且与所述漏极断开设置，所述场板在所述衬底上的正投影与所述台阶存在交叠区域，所述场板包括在所述衬底上的正投影位于所述金属栅极与所述漏极之间的一阶场板和二阶场板，所述二阶场板为覆盖所述台阶的部分，所述一阶场板为除了所述二阶场板之外的部分。

2.如权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述台阶面向所述金属栅极的侧壁垂直于所述钝化层的表面；或，所述台阶面向所述金属栅极的侧壁向所述漏极的方向倾斜，且所述台阶面向所述金属栅极的侧壁与所述台阶面向所述钝化层的表面之间的夹角小于90度。

3.如权利要求1或2所述的场效应管，其特征在于，所述二阶场板为多个。

4.如权利要求3所述的场效应管，其特征在于，多个所述二阶场板沿着第一方向或第二方向排列，或多个所述二阶场板阵列排布，所述第一方向为所述源极指向所述漏极的方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。

5.如权利要求1或2所述的场效应管，其特征在于，所述二阶场板为一个，所述一阶场板在所述衬底上的正投影位于所述二阶场板与所述金属栅极之间。

6.如权利要求1-5任一项所述的场效应管，其特征在于，还包括：

平坦层，位于所述源漏金属层上，所述平坦层包括源极连接孔和漏极连接孔；

连接金属层，位于所述平坦层上，所述连接金属层包括源极连接垫和漏极连接垫，所述源极连接垫通过所述源极连接孔与所述源极电连接，所述漏极连接垫通过所述漏极连接孔与所述漏极电连接。

7.如权利要求6所述的场效应管，其特征在于，所述二阶场板与所述一阶场板之间断开设置；

所述平坦层还包括二阶场板连接孔，所述源极连接垫通过所述二阶场板连接孔与所述二阶场板电连接。

8.如权利要求1-7任一项所述的场效应管，其特征在于，所述控制栅极包括：位于所述沟道层上的PGaN层和位于所述PGaN层上的TiN层，所述TiN层在所述衬底上的正投影落入所述PGaN层的范围内。

9.如权利要求1-7任一项所述的场效应管，其特征在于，所述控制栅极包括PGaN层；

所述场效应管还包括：TiN层，位于所述钝化层与所述栅金属层之间，所述TiN层在所述衬底上的正投影与所述栅金属层重合。

10.一种电子电路，其特征在于，包括电路板和设置在所述电路板上的如权利要求1-9任一项所述的场效应管。