[发明专利]一种新型气密瓦片式相控阵天线有效

专利信息
申请号: 202111000274.7 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113451732B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 薛伟;丁卓富;阴明勇;周沛瀚;符博 申请(专利权)人: 成都雷电微力科技股份有限公司
主分类号: H01Q1/00 分类号: H01Q1/00;H01Q1/02;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q23/00
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 封浪
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 气密 瓦片 相控阵 天线
【权利要求书】:

1.一种新型气密瓦片式相控阵天线,包括介质腔体层(4),所述介质腔体层(4)包括至少一个内凹的开槽(43),射频芯片(31)一一设置于各所述开槽(43)中;盖板层(1)密封各所述开槽(43);所述介质腔体层(4)在远离所述开槽(43)开口的一侧连接阵列天线层(5),所述射频芯片(31)与所述阵列天线层(5)连接;

其特征在于,所述介质腔体层(4)远离所述阵列天线层(5)一侧上设置有金属制成的植球层(2),所述植球层(2)分别经射频链路(48)和低频链路(47)与各所述射频芯片(31)连接;所述植球层(2)中,至少连接所述射频链路(48)的植球(21)和连接所述低频链路(47)的植球(21)不被所述盖板层(1)覆盖;所述射频链路(48)和低频链路(47)均设置于所述介质腔体层(4)内。

2.如权利要求1所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,连接所述射频链路(48)的植球(21)的直径与连接所述低频链路(47)的植球(21)的直径不同。

3.如权利要求2所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,连接所述射频链路(48)的植球(21)的直径较连接所述低频链路(47)的植球(21)的直径小。

4.如权利要求1所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,所述盖板层(1)包括与所述开槽(43)数量相等的盖板(11),所述盖板(11)一一密封所述开槽(43)。

5.如权利要求4所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,相邻盖板(11)之间存在间隙。

6.如权利要求5所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,所述开槽(43)的开口在至少两个相对方向上设计有台阶(431),所述盖板(11)设置于所述台阶(431)上。

7.如权利要求1所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,所述开槽(43)底部设置有射频过渡结构(44),所述射频芯片(31)连接所述射频过渡结构(44),所述射频过渡结构(44)连接所述阵列天线层(5)。

8.如权利要求1所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,所述介质腔体层(4)在远离所述阵列天线层(5)一侧表面设置有射频输入过渡结构(46),所述射频输入过渡结构(46)连接所述射频链路(48);所述射频输入过渡结构(46)上设置有若干植球(21);所述射频链路(48)在各相邻开槽(43)之间走线。

9.如权利要求1所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,对于每一个所述开槽(43),开槽(43)开口一周的一半以上设置有植球(21)。

10.如权利要求1所述的新型气密瓦片式相控阵天线,其特征在于,所述介质腔体层(4)中设置有微流道,所述微流道被设置为:传导射频芯片层(3)的热量到所述植球层(2),所述射频芯片层(3)由各所述射频芯片(31)组成。

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