[发明专利]一种叠层光伏器件

权利要求书

1.一种叠层光伏器件，其特征在于，所述叠层光伏器件包括钙钛矿吸收层、晶体硅吸收层，以及串联所述钙钛矿吸收层与所述晶体硅吸收层的单层电学功能层，所述钙钛矿吸收层与所述单层电学功能层的接触界面为第一串联界面，所述晶体硅吸收层与所述单层电学功能层的接触界面为第二串联界面；其中，

所述第二串联界面处所述晶体硅吸收层的导电类型与所述第一串联界面处所述钙钛矿吸收层的导电类型不同；

所述第二串联界面处所述晶体硅吸收层的功函数与所述第一串联界面处所述钙钛矿吸收层的功函数的差值≥-0.3eV，且≤0.3eV。

2.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述单层电学功能层的功函数位于第一功函数与第二功函数之间，且包括所述第一功函数、所述第二功函数的范围内；

所述第一功函数为所述钙钛矿吸收层上所述第一串联界面处所述钙钛矿吸收层的功函数；

所述第二功函数为所述晶体硅吸收层上所述第二串联界面处所述晶体硅吸收层的功函数。

3.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述单层电学功能层的电导率大于或等于第一电导率与第二电导率中的最大值；

所述第一电导率为所述钙钛矿吸收层上所述第一串联界面处所述钙钛矿吸收层的电导率；

所述第二电导率为所述晶体硅吸收层上所述第二串联界面处所述晶体硅吸收层的电导率。

4.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述晶体硅吸收层上所述第二串联界面处的导电类型为P型，所述钙钛矿吸收层上所述第一串联界面处采用N型钙钛矿材料，所述钙钛矿材料包含FAPbI₃、MAPb_1.1I_3.2、MAPb_1.5Br₄、MASnI₃、MAPbBr_1.5Cl_1.5、MAPbCl₃、MAPbI₃、MAPbI_2.1Cl_0.9、FASnI₃、CsSnI₃中的至少一种；

所述钙钛矿吸收层上所述第一串联界面处还采用N型掺杂剂，所述N型掺杂剂包含铟、锑、钒、铋中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述单层电学功能层采用的材料包含氧化锡、氧化镍、氧化铜、氧化钼、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、氧化亚铜、氧化钨、氧化钒、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、硫氰酸亚铜、聚3,4-乙烯二氧噻吩、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸中的任一种或任一种的掺杂材料；

所述掺杂材料采用碱金属元素、碱土金属元素、过渡金属元素、卤族金属元素中的任一种掺杂得到。

6.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述晶体硅吸收层上所述第二串联界面处的导电类型为N型，所述钙钛矿吸收层上所述第一串联界面处采用P型钙钛矿材料，所述P型钙钛矿材料包含MAPbBr₃、MAPb_0.91I_2.82、MAPbI₃、FAPbI₃、MASnI₃、MANH₃PbI₃、MASnBr₃、FASnI₃、CsSnBr₃中的至少一种；

所述钙钛矿吸收层上所述第一串联界面处还采用P型掺杂剂，所述P型掺杂剂包括钠、钾、铜、氧中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述单层电学功能层采用的材料包含氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化钛、硫化钼、氧化铌、氧化钽、硫化镉、富勒烯碳中的任一种或任一种的掺杂材料；

所述掺杂材料采用碱金属元素、碱土金属元素、过渡金属元素、卤族金属元素中的任一种掺杂得到。