[发明专利]一种低出气率抗静电光学吸收涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，包括以下过程：

S1：制备底涂分散液

将氧化石墨烯微片均匀分散在有机溶剂中进行超声处理，然后加入倍半硅氧烷在室温下混合搅拌得到氧化石墨烯/倍半硅氧烷分散液；

S2：制备底涂

将步骤S1中制备的底涂分散液均匀地沉积在洁净的基底表面，在室温下经过适量挥发得到底涂；

S3：制备面涂悬浮液

将碳纳米管在有机溶剂中超声处理，然后加入倍半硅氧烷在室温下混合搅拌得到碳纳米管/倍半硅氧烷悬浮液；

S4：制备面涂

将步骤S3中制备的面涂悬浮液均匀地沉积在步骤S2中制备的底涂表面，然后转移至通风橱中并在室温下使溶剂挥发得到面涂；

S5：涂层热处理

将步骤S4中制备的涂层放置于真空烘箱中进行热处理，然后随炉自然冷却至室温。

2.如权利要求1所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，步骤S1中，按照质量份数，所述氧化石墨烯微片50-99份，倍半硅氧烷1-50份。

3.如权利要求2所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的有机溶剂为四氢呋喃、正己烷、氯仿、丙酮、甲苯或二氯甲烷。

4.如权利要求3所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯微片直径为0.05-50μm；所述的倍半硅氧烷结构为无规型、梯形、笼型或半笼型；侧基R为环氧基、羟基或氨基；所述的底涂分散液浓度为0.1-10mg/ml。

5.如权利要求4所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述的基底为金属、玻璃、陶瓷或者高分子材料；溶剂挥发时间为0.5-12小时。

6.如权利要求5所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，步骤S3中，按照质量份数 ，所述碳纳米管75-95份，倍半硅氧烷5-25份。

7.如权利要求6所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述的碳纳米管外壁含有羟基和/或羧基官能团；所述的有机溶剂与步骤S1中使用的有机溶剂种类相同；所述的倍半硅氧烷与步骤S1中使用的倍半硅氧烷种类相同；所述的面涂悬浮液浓度为0.1-10mg/ml。

8.如权利要求7所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，步骤S4中，溶剂挥发时间为6-24小时。

9.如权利要求8所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法，其特征在于，步骤S5中，热处理条件为：在50-80℃保温6-48小时，然后升温至180-220℃并保温5-60分钟。

10.一种基于权利要求1-9中任一项所述的低出气率抗静电光学吸收涂层的制备方法所制得的低出气率抗静电光学吸收涂层。