[发明专利]一种应用于热插拔服务器的保护装置有效

专利信息
申请号: 202110997801.X 申请日: 2021-08-27
公开(公告)号: CN113741673B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 陈宥任 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: G06F1/28 分类号: G06F1/28;G06F1/30;G06F11/30;G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王洋
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 热插拔 服务器 保护装置
【说明书】:

本申请公开了一种应用于热插拔服务器的保护装置,包括IC芯片,IC芯片上设置有电流检测模块和输入电流控制模块;其中,电流检测模块,用于监测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率;输入电流控制模块,用于当MOSFET的运行电流大于预设电流时,则根据目标电流变化率和MOSFET的SOA曲线图对IC芯片的输入电流进行控制,以使MOSFET工作于安全区域。显然,相较于现有技术而言,由于该方法可以避免MOSFET在遭遇大电流时IC芯片对MOSFET关断时间的影响,这样就可以进一步提高MOSFET在运行过程中的安全性与可靠性。相应的,本申请所提供的一种热插拔服务器同样具有上述有益效果。

技术领域

发明涉及服务器技术领域,特别涉及一种应用于热插拔服务器的保护装置以及一种热插拔服务器。

背景技术

在具有热插拔功能的服务器中,通常会选用MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor,金属氧化层半导体场效晶体管)作为热插拔器件的导通开关。当MOSFET遇到大电流时,服务器内部的IC芯片(Integrated Circuit Chip,微型电子器件)会关断MOSFET,从而达到对MOSFET进行保护的目的。但是,此种保护方式容易受到MOSFET关断时间的影响,如果IC芯片对MOSFET关断不及时,就会将MOSFET烧毁。目前,针对这一技术问题,还没有较为有效的解决办法。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种应用于热插拔服务器的保护装置以及一种热插拔服务器,以进一步提高MOSFET在使用过程中的安全性与可靠性。其具体方案如下:

一种应用于热插拔服务器的保护装置,包括IC芯片,所述IC芯片上设置有电流检测模块和输入电流控制模块;

其中,所述电流检测模块,用于监测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率;

所述输入电流控制模块,用于当所述MOSFET的运行电流大于预设电流时,则根据所述目标电流变化率和所述MOSFET的SOA曲线图对所述IC芯片的输入电流进行控制,以使所述MOSFET工作于安全区域。

优选的,还包括:

与所述输入电流控制模块相连的存储器,用于对所述SOA曲线图进行存储。

优选的,所述电流检测模块包括:

电流检测单元,用于对所述热插拔服务器中所述MOSFET的运行状态进行监测,得到目标运行信息;

逻辑计算单元,用于根据所述目标运行信息确定所述MOSFET的所述目标电流变化率。

优选的,所述IC芯片包括:精密电阻、电流监控器、电流控制器和闸极开关控制器;

其中,所述精密电阻的第一端分别与Vin、所述热插拔服务器中第一电容的第一端和所述电流监控器的第一输入端相连,所述第一电容的第二端接地,所述精密电阻的第二端分别与所述MOSFET的漏极和所述电流监控器的第二输入端相连,所述电流监控器的输出端与所述电流控制器的输入端相连,所述电流控制器的输出端与闸极开关控制器的输入端相连,所述闸极开关控制器的输出端分别与所述MOSFET的栅极、所述热插拔服务器中第一电阻的第一端相连,所述第一电阻的第二端与所述热插拔服务器中第二电容的第一端相连,所述第二电容的第二端接地,所述MOSFET的源极与所述热插拔服务器中第三电容的第一端相连,所述第三电容的第二端接地;

相应的,所述MOSFET的源极为所述热插拔服务器的输出端。

优选的,所述输入电流控制模块包括:第一与门、比较器以及具有多个电流输出通道的开关控制单元;

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