[发明专利]静电防护电路

权利要求书

1.一种静电防护电路，其特征在于，芯片包括第一焊盘以及第二焊盘，所述静电防护电路包括：

触发单元，其连接于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，其设有第一触发端和第二触发端，用于在所述第一焊盘上有静电脉冲时生成第一触发信号；

第一泄放晶体管，其控制端与所述触发单元第一触发端连接，其第一端连接所述第一焊盘，其第二端连接所述第二焊盘，其衬底端连接所述触发单元的第二触发端，用于在所述第一触发信号的触发下将静电电荷泄放至所述第二焊盘。

2.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，触发单元包括：

触发电容，其设有第一端和第二端，

第一电阻，其设有第一端和第二端，其第一端连接所述触发电容的第二端后形成所述触发单元的第一触发端；

第二电阻，其设有第一端和第二端，其第一端连接所述第一电阻的第二端形成所述触发单元的第二触发端。

3.根据权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于，所述静电防护电路还包括：

所述触发单元还用于在所述第一焊盘上有所述静电脉冲时生成第二触发信号；

第二泄放晶体管，其控制端与第二触发端连接，其第一端连接所述第一焊盘，其第二端连接所述第二焊盘，其衬底端连接所述触发单元的第二触发端，用于在所述第二触发信号的触发下将所述静电电荷泄放至所述第二焊盘。

4.根据权利要求3所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放晶体管在所述衬底上的投影到所述第一焊盘在所述衬底上的投影之间距离大于所述第二泄放晶体管在所述衬底上的投影到所述第一焊盘在所述衬底上的投影之间距离。

5.根据权利要求4所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放晶体管包括第一多指结构，所述第二泄放晶体管包括第二多指结构，其中，所述第一多指结构和所述第二多指结构相邻布置。

6.根据权利要求5所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一多指结构在衬底上的投影的中轴线与所述第一焊盘在所述衬底上的第一投影的中轴线重合；

所述第二多指结构在衬底上的投影的中轴线与所述第一投影的中轴线不重合。

7.根据权利要求2至6中任意一项所述的静电防护电路，其特征在于，所述触发电容的第一端连接所述第一焊盘，所述第二电阻的第二端连接所述第二焊盘。

8.根据权利要求7所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放晶体管为N型晶体管。

9.根据权利要求8所述的静电防护电路，其特征在于，当所述第一泄放晶体管导通时，所述第一泄放晶体管内寄生NPN型晶体管也导通。

10.根据权利要求7所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放晶体管和第二泄放晶体管为N型晶体管。

11.根据权利要求10所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放晶体管的控制端的充电速率大于所述第二泄放晶体管的控制端的充电速率，且所述第一泄放晶体管和所述第二泄放晶体管导通时，所述第一泄放晶体管内寄生NPN型晶体管和所述第二泄放晶体管内寄生NPN型晶体管也导通。

12.根据权利要求7所述的静电防护电路，其特征在于，所述触发电容的第一端连接所述第二焊盘，所述第二电阻的第二端连接所述第一焊盘。

13.根据权利要求12所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放晶体管和第二泄放晶体管为P型晶体管。

14.根据权利要求13所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放晶体管的控制端的放电速率大于所述第二泄放晶体管的控制端的放电速率，且所述第一泄放晶体管和所述第二泄放晶体管导通时，所述第一泄放晶体管内寄生PNP型晶体管和所述第二泄放晶体管内寄生PNP型晶体管也导通。

15.根据权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值大于所述第一电阻的阻值。