[发明专利]一种接触孔图案的制备方法

说明书

一种接触孔图案的制备方法，包括：提供衬底，在衬底中定义目标区域和非目标区域；在衬底上形成图形层，对目标区域上的图形层执行图形化工艺，以在目标区域上形成目标图形；形成覆盖目标区域和非目标区域的牺牲介质层；执行掩膜工艺，暴露出目标区域的牺牲介质层；执行蚀刻工艺，去除目标图形和非目标区域的牺牲介质层。本发明的制备方法在简化接触孔制程工艺、提高产能的同时降低了制程机台使用成本。

技术领域

本发明涉及集成电路以及电子元器件的制造技术领域，特别涉及一种接触孔图案的制备方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，在半导体储存器结构中，位线之下具有位线接触部，现有位线接触部的制作方法非常繁琐。

发明内容

本公开的目的是提供一种接触孔图案的制备方法，简化位线接触孔的制程工艺、提高产能的同时降低制程机台使用成本。

为解决上述问题，根据本公开的一个实施例中提供了一种接触孔图案的制备方法，包括：

提供衬底，在所述衬底中定义目标区域和非目标区域；在所述衬底上形成图形层，对所述目标区域上的所述图形层执行图形化工艺，以在所述目标区域上形成目标图形；形成覆盖所述目标区域和所述非目标区域的牺牲介质层；执行掩膜工艺，暴露出所述目标区域的所述牺牲介质层；执行蚀刻工艺，去除所述目标图形和所述非目标区域的所述牺牲介质层。

在本公开的一种示例性实施例中，执行所述掩膜工艺的步骤包括：在所述牺牲介质层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光处理，去除所述目标区域的所述光刻胶层，保留所述非目标区域的所述光刻胶层，暴露出所述目标区域的所述牺牲介质层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述蚀刻工艺包括第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺，执行所述第一蚀刻工艺去除所述目标区域的部分所述牺牲介质层和所述非目标区域的所述光刻胶层，使得所述目标图形暴露；执行所述第二蚀刻工艺去除所述目标图形和所述非目标区域的所述牺牲介质层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺为同一道蚀刻工艺。

在本公开的一种示例性实施例中，所述图形层包括堆叠的第一介质层和第二介质层，所述目标图形包括间隔排布的第一图形。

在本公开的一种示例性实施例中，执行所述第一蚀刻工艺使所述第一图形的所述第二介质层暴露，执行所述第二蚀刻工艺去除所述第一图形的所述第二介质层和所述第一图形的所述第一介质层以及去除所述非目标区域的所述牺牲介质层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二蚀刻工艺包括第一子蚀刻工艺、第二子蚀刻工艺和第三子蚀刻工艺，通过执行所述第一子蚀刻工艺去除所述第一图形的所述第二介质层和所述非目标区域的部分所述牺牲介质层；通过执行所述第二子蚀刻工艺去除所述非目标区域的剩余所述牺牲介质层；通过执行所述第三子蚀刻工艺去除所述第一图形的所述第一介质层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：执行图案转移工艺，以所述牺牲介质层为掩膜图形，将所述目标图形转移到所述衬底中的所述目标区域中。

在本公开的一种示例性实施例中，所述图形层包括堆叠设置的第一图形层和第二图形层，对所述第一图形层执行所述图形化工艺形成所述目标图形，在所述图案转移工艺中，所述目标图形经由所述第二图形层转移至所述衬底中。

在本公开的一种示例性实施例中，所述目标区域中包括多个间隔排布的埋入式字线结构，所述目标图形转移到所述埋入式字线结构之间的区域。

附图说明