[发明专利]异质结构以及采用异质结构的发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

n型AlGaN结构；

p型AlGaN结构；

夹设于所述n型AlGaN结构与所述p型AlGaN结构之间的有源区；以及，

形成在所述p型AlGaN结构上的p型接触层，其中，所述p型接触层包括：

第一AlGaN势垒；

在所述第一AlGaN势垒上形成的第一AlInGaN势阱；

在所述第一AlInGaN势阱上形成的第二AlGaN势垒；以及，

在所述第二AlGaN势垒上形成的第二AlInGaN势阱；

其中，所述第一AlGaN势垒的Al组分与所述第一AlInGaN势阱的Al组分之差等于或大于0.6，并且所述第二AlGaN势垒的Al组分与所述第二AlInGaN势阱的Al组分之差等于或大于0.6。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一AlGaN势垒和所述第二AlGaN势垒中的至少一个由AlN制成。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一AlInGaN势阱和所述第二AlInGaN势阱中的至少一个由In_xGa_1-xN制成，其中，x等于或小于0.3。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一AlGaN势垒的厚度和所述第二AlGaN势垒的厚度分别在0.26-2.0nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一AlInGaN势阱的厚度和所述第二AlInGaN势阱的厚度分别在0.52-3.0nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一AlInGaN势阱为p型掺杂，掺杂浓度为5.0×10¹⁹–3.0×10²⁰cm^-3，并且所述第二AlInGaN势阱为n型掺杂，掺杂浓度为1.0×10¹⁹–1.5×10²⁰cm^-3。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一AlGaN势垒为p 型掺杂，掺杂浓度为5.0×10¹⁹–3.0×10²⁰cm^-3，并且所述第二AlGaN势垒为p型掺杂，掺杂浓度为5×10¹⁹–3.0×10²⁰cm^-3。

8.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述第一AlGaN势垒形成于其上的AlGaN层，其中，所述第一AlGaN势垒形成于其上的所述AlGaN层具有比所述第一AlGaN势垒的所述Al组分低的Al组分且在0.5-0.65范围内，厚度在2.0-5.0nm范围内，并且是p型掺杂的，掺杂浓度为5.0×10¹⁹–3.0×10²⁰cm^-3。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述p型AlGaN结构包括p型异质结构，所述p型异质结构包括一个或多个p型掺杂AlGaN层，所述的一个或多个p型掺杂AlGaN层中的每一个包含插入其中的一个或多个正电荷薄层，其中，两个相邻的正电荷薄层之间的距离大于由所述两个相邻的正电荷薄层中的任何一个所生成的耗尽区的耗尽深度。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，由所述的一个或多个正电荷薄层中的任何一个所生成的耗尽区的所述耗尽深度小于10nm。

11.根据权利要求9所述的发光器件，其中，通过Siδ-掺杂形成所述的一个或多个正电荷薄层，薄层掺杂密度为1×10¹¹–1×10¹³cm^-2。