[发明专利]用于TO-252封装的金属陶瓷外壳及制备方法在审
| 申请号: | 202110994205.6 | 申请日: | 2021-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN113745168A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 侯杰;黄璐;杨旭东;张振兴;相裕兵 | 申请(专利权)人: | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L23/043;H01L23/10;H01L23/06;H01L21/48 |
| 代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 赵玉凤 |
| 地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 to 252 封装 金属陶瓷 外壳 制备 方法 | ||
1.用于TO-252封装的金属陶瓷外壳,其特征在于:包括壳体、底板、盖板、无氧铜压焊区、陶瓷绝缘体、无氧铜引线和陶瓷承托柱,底板和盖板分别封装在壳体的底部和顶部,无氧铜压焊区位于壳体内部,通过陶瓷承托柱焊接在底板上,陶瓷绝缘体镶嵌在壳体上并通过焊接实现密封,陶瓷绝缘体为一整体,陶瓷绝缘体上开有多个引线孔,无氧铜引线一端焊接在无氧铜压焊区,另一端穿过引线孔延伸至壳体外。
2.根据权利要求1所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳,其特征在于:无氧铜压焊区沿壳体横向延伸。
3.根据权利要求1所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳,其特征在于:陶瓷绝缘体为92%Al2O3高温共烧陶瓷。
4.根据权利要求1或3所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳,其特征在于:陶瓷绝缘体、陶瓷承托柱上需要焊接密封的部位设有表面金属化层,表面金属化层包括钨浆层和镀镍层,钨浆层在陶瓷绝缘体制备过程中印刷,镀镍层在陶瓷绝缘体制备成形后进行。
5.根据权利要求4所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳,其特征在于:镀镍层厚度≥3μm。
6.根据权利要求1所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳,其特征在于:壳体材质为可伐合金,底板材质为钨铜,盖板材质为铁镍合金,壳体、底板、盖板、无氧铜压焊区、无氧铜引线的需要焊接的部分均镀镍,镀镍厚度大于或者等于3μm。
7.根据权利要求1所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳,其特征在于:外壳金属表面镀有一层金,镀金层厚度≥0.5μm。
8.一种用于TO-252封装的金属陶瓷外壳的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
S01)、将氮氢气氛保护链式烧结炉升温至银铜焊料的焊接温度,通入氮氢混合气保护气体,预热一段时间;
S02)、底板与壳体焊接在一起,陶瓷承托柱与无氧铜压焊区焊接在一起,陶瓷绝缘体与无氧铜引线焊接在一起;
为了实现陶瓷承托柱与无氧铜压焊区、陶瓷绝缘体与无氧铜引线之间的焊接,在陶瓷绝缘体、陶瓷承托柱上需要焊接密封的部位设置表面金属化层,表面金属化层包括钨浆层和镀镍层,钨浆层在陶瓷绝缘体制备过程中印刷,镀镍层在陶瓷绝缘体制备成形后进行;
S03)、总装焊接,将步骤S02焊接形成的各部分焊接组装在一起,形成权利要求1所述金属陶瓷外壳。
9.根据权利要求8所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳的制备方法,其特征在于:陶瓷绝缘体的制备过程为:
1、采用流延法形成陶瓷坯料层,并在陶瓷坯料层需要走线的位置打孔;
2、初次金属化,就是把陶瓷绝缘体需要焊接密封的部位印刷一层钨浆材质的浆料,初次金属化包括内孔金属化和层面印刷金属化,因为陶瓷绝缘体是由多层陶瓷坯料叠压而成,因此将金属化层分配到需要的层,然后进行以下步骤;
3、叠料,等静压成型,将多层陶瓷坯料层叠在一起,然后采用等静压设备对瓷片全方位施加相等的压力,从而使陶瓷绝缘体成型;
4、分离成单个品,高温共烧;
5、镀镍,镍层厚度大于或者等于3μm。
10.根据权利要求8所述的用于TO-252封装的金属陶瓷外壳的制备方法,其特征在于:壳体、底板、盖板、无氧铜压焊区,无氧铜引线的需要焊接的部分均镀镍,镀镍厚度大于或者等于3μm。
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