[发明专利]适用于液晶聚合物基板的微孔制作方法

权利要求书

1.一种适用于液晶聚合物基板的微孔制作方法，所述液晶聚合物基板包括液晶聚合物层和铜层，其特征在于，所述微孔制作方法包括如下步骤：

分别制备铜层和液晶聚合物层的电解质溶液；制作工作电极；利用所述工作电极，采用铜层的电解质溶液对铜层进行通电刻蚀、采用液晶聚合物层的电解质溶液对液晶聚合物层进行通电刻蚀，并制得所述微孔；所述电解质溶液包括刻蚀剂前驱体和约束剂。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述铜层的电解质溶液中的刻蚀剂前驱体为FeCl₂，约束剂为SnCl₂；所述电解质溶液中FeCl₂与SnCl₂的摩尔比为0.1～0.5:1。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述铜层的电解质溶液中还包括络合剂，所述络合剂在所述铜层的电解质溶液中的摩尔浓度为0.01～0.02mol/L。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述络合剂为2,2-联吡啶，所述铜层的电解质溶液包括HCl；所述FeCl₂、2,2-联吡啶、SnCl₂、HCl摩尔比为0.1～0.3:0.03～0.09:1:0.5～1.5。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述液晶聚合物层的电解质溶液中的刻蚀剂前驱体为锰酸钾，约束剂为过氧化氢，所述锰酸钾与过氧化氢的质量比为2～4:1。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述液晶聚合物层的电解质溶液还包括增溶剂，所述增溶剂在所述液晶聚合物层的电解质溶液中的重量百分比为10％～15％。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述增溶剂为乙二胺；所述液晶聚合物层的电解质溶液包括K₂MnO₄、KOH、乙二胺、H₂O₂；所述液晶聚合物层的电解质溶液中K₂MnO₄、KOH、乙二胺、H₂O₂的质量比为35～38:2～5:10～13:12～15。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述工作电极通过如下步骤进行制备：

将金属丝置于毛细玻璃管中，对毛细玻璃管的中间位置加热，待毛细玻璃管熔融时在毛细玻璃管两端施加相反的拉力，将毛细玻璃管中间位置拉断形成微电极，接着将微电极的尖端用树脂进行封样，然后对微电极的尖端进行抛光，最后溶解树脂解封微电极得到所述工作电极。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，铜层的刻蚀按照如下步骤进行：

在所述液晶聚合物基板的表面覆盖所述铜层的电解质溶液，当所述工作电极的尖端与所述液晶聚合物基板表面的间距小于电解质溶液的厚度时停止下降，进行通电刻蚀。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，通电刻蚀时，以工作电极的尖端的初始位置为圆心，根据设定的微孔尺寸沿所需刻蚀微孔的圆周移动所述工作电极，同时控制工作电极的尖端向下移动，当所述工作电极的尖端到达液晶聚合层的表面时，停止通电，铜层的刻蚀结束。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，铜层刻蚀时的参数为：恒电流电解，电流密度为10～15mA/cm²，体系温度为35℃-40℃。