[发明专利]一种半导体器件及制备方法

说明书

本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：通过先在第一介质层上形成底层源场板，使得底层源场板位于栅极金属和漏极金属之间，且底层源场板在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交；然后在底层源场板上形成第二介质层；在第二介质层上制作与底层源场板连接的互连结构。通过第二介质层以及与底层源场板连接的互连结构，能够有效降低栅源之间的寄生电容，同时，由于底层源场板与栅极金属之间的第一介质层的厚度并未发生变化，因此，也可以保证底层源场板的电场调制作用，从而能够在源场板调制作用和降低栅源之间Cgs之间达到较好的平衡。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及制备方法。

背景技术

对于射频GaN器件，在高频工作下，寄生电容对器件的射频性能有着显著影响，其中栅源之间的寄生电容（Cgs）越大，器件随着频率增加，射频性能衰退显著。

为降低栅源之间的Cgs，现有技术在源场板与栅极金属间设置有介质层，为了防止漏端电场直接影响栅极，导致器件自激振荡，通常需要将源场板设置为Z形，即源场板在栅极靠近漏极的一侧以半包或全包的形式遮盖栅极金属，从而达到屏蔽漏端电场的目的，但这也不可避免的在栅源之间引入了寄生参数，另一方面，为了保证源场板的电场调制作用，栅源之间的介质层厚度不能过厚，导致现有技术难以在源场板调制作用和降低栅源之间Cgs之间达到较好的平衡。

发明内容

本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件及制备方法，能够在源场板调制作用和降低栅源之间Cgs之间达到较好的平衡。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例的一方面，提供一种半导体器件制备方法，方法包括：在衬底上形成半导体叠层；在半导体叠层上分别形成源极金属、漏极金属和栅极金属；在栅极金属上形成第一介质层；在第一介质层上形成底层源场板，底层源场板位于栅极金属和漏极金属之间，且底层源场板在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交；在底层源场板上形成第二介质层；刻蚀第二介质层，形成连通至底层源场板的互连孔；通过互连孔形成与底层源场板连接的互连结构。

可选的，通过互连孔形成与底层源场板连接的互连结构包括：在互连孔内形成与底层源场板连接的第一导电体；在第二介质层上形成第二导电体，第二导电体的一端与第一导电体连接以形成互连结构、另一端朝向源极金属延伸。

可选的，第二导电体在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交。

可选的，第二导电体为叉指状结构。

可选的，底层源场板与栅极金属之间的间距大于第一介质层的厚度。

可选的，互连结构连接于底层源场板远离栅极金属的一端。

可选的，互连孔为多个，多个互连孔沿底层源场板的延伸方向间隔设置。

可选的，在栅极金属上形成第一介质层之后，方法还包括：刻蚀第一介质层，形成分别与源极金属和漏极金属连通的第一源极互连窗口和第一漏极互连窗口；

在源极互连窗口和漏极互连窗口内分别形成第一源极互连金属和第一漏极互连金属；

在底层源场板上形成第二介质层之后，方法还包括：刻蚀第二介质层，形成分别与第一源极互连金属和第一漏极互连金属连通的第二源极互连窗口和第二漏极互连窗口；在第二源极互连窗口和第二漏极互连窗口内分别形成第二源极互连金属和第二漏极互连金属。