[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质

说明书

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供目标图形；将目标图形的边分割为多个第一线段，包括两端点、位于两端点间的第一采样点；利用第一线段，对目标图形进行第一光学邻近修正处理，形成第一初始修正后图形、相应第一模拟图形；判断端点处，第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；未达到修正标准时，在端点处设立第二采样点，在第二采样点两侧截取部分长度的第一线段平移至目标位置，构成第二线段，剩余第一线段作为第三线段，形成第二初始修正后图形；利用第二线段和第三线段，对第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，形成光罩图形。本发明提高光学邻近修正的效果。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

然而随着器件的尺寸日益缩小，在经过光刻制程之后，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大。为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行光学邻近修正(optical proximitycorrection，OPC)，然后再依据修正过的掩膜版图案进行图案转移。在OPC修正程序中，通常需要进行掩膜尺寸检查(Mask Manufacturing Rule Check)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。

但是，目前光学邻近修正的效果仍有待提高。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高光学邻近修正的效果。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标图形；将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，形成光罩图形。