[发明专利]一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路在审

专利信息
申请号: 202110988802.8 申请日: 2021-08-26
公开(公告)号: CN113705134A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 尚涛;甘朝晖;余磊 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: G06F30/32 分类号: G06F30/32
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 分数 记忆 元件 通用 等效电路
【权利要求书】:

1.一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路,其特征在于所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路由第三阻抗元件(1)、第一电流传输器(2)、第一阻抗元件(3)、第二电流传输器(4)、第二阻抗元件(5)、第四阻抗元件(6)、第四电流传输器(7)、第五阻抗元件(8)和第三电流传输器(9)组成;浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路分别设有浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A、浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B和浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子GND;

所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和第一电流传输器(2)的端子E1i连接,第一电流传输器(2)的端子E1o和第一阻抗元件(3)的端子Z11连接,第一电流传输器(2)的端子E1-和第三阻抗元件(1)的端子Z31连接,第一电流传输器(2)的端子E1+和第四电流传输器(7)的端子E4o连接,第四电流传输器(7)的端子E4-和第五阻抗元件(8)的端子Z52连接,第四电流传输器(7)的端子E4i和第四阻抗元件(6)的端子Z42连接,第四电流传输器(7)的端子E4+和第二电流传输器(4)的端子E2o连接;

所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B和第三电流传输器(9)的端子E3i连接,第三电流传输器(9)的端子E3-和第三阻抗元件(1)的端子Z32连接,第三电流传输器(9)的端子E3o和第二电流传输器(4)的端子E2+连接,第二电流传输器(4)的端子E2-和第一阻抗元件(3)的端子Z12连接,第二电流传输器(4)的端子E2i和第二阻抗元件(5)的端子Z21连接;

所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子GND与第二阻抗元件(5)的端子Z22、第三电流传输器(9)的端子E3+、第四阻抗元件(6)的端子Z41、第五阻抗元件(8)的端子Z51分别连接;

所述第一阻抗元件(3)为电阻、电容和电感中的一种,

所述第三阻抗元件(1)为电阻、电容和电感中的一种,

所述第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种,

所述第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种,

所述第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种;

所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B之间的等效阻抗ZAB(t)为:

式(1)中:Z1表示第一阻抗元件(3)的阻抗值,

Z2表示第二阻抗元件(5)的阻抗值,

Z3表示第三阻抗元件(1)的阻抗值,

Z4表示第四阻抗元件(6)的阻抗值,

Z5表示第五阻抗元件(8)的阻抗值;

a)凡符合下述条件之一时,所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路为浮地型分数阶忆阻器的等效电路:

条件1:第五阻抗元件(8)为接地型分数阶忆阻器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,无量纲;

条件2:第二阻抗元件(5)为接地型分数阶忆容器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件3:第四阻抗元件(6)为接地型分数阶忆容器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件4:第五阻抗元件(8)为接地型分数阶忆感器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

b)凡符合下述条件之一时,所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路为浮地型分数阶忆容器的等效电路:

条件1:第二阻抗元件(5)为接地型分数阶忆阻器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件2:第四阻抗元件(6)为接地型分数阶忆阻器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件3:第五阻抗元件(8)为接地型分数阶忆容器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,无量纲;

条件4:第二阻抗元件(5)为接地型分数阶忆感器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件5:第四阻抗元件(6)为接地型分数阶忆感器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

c)凡符合下述条件之一时,所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路为浮地型分数阶忆感器的等效电路:

条件1:第五阻抗元件(8)为接地型分数阶忆阻器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件2:第二阻抗元件(5)为接地型分数阶忆容器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件3:第四阻抗元件(6)为接地型分数阶忆容器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中的一种,的量纲为

条件4:第五阻抗元件(8)为接地型分数阶忆感器,第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种,第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种,第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种,第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种,无量纲。

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