[发明专利]一种薄膜型半导体芯片结构及应用其的光电器件

权利要求书

1.一种薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：

含有至少一个光格；所述至少一个光格包括，

用作电极的金属衬底和金属侧壁，所述金属衬底和所述金属侧壁相互绝缘连接，形成光学反射腔体；

第一透明导电层，覆盖所述腔体的顶部；并且，所述第一透明导电层与所述金属侧壁电连接；以及

至少一个光电转换层，设置在所述腔体内；所述至少一个光电转换层串联在所述金属衬底与所述第一透明导电层之间，并且与所述金属侧壁绝缘。

2.根据权利要求1所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：

所述金属衬底为用作正电极的P型金属，所述金属侧壁为用作负电极的N型金属；或者，

所述金属衬底为用作负电极的N型金属，所述金属侧壁为用作正电极的P型金属。

3.根据权利要求2所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述腔体内的所述金属侧壁表面覆盖有电气绝缘层。

4.根据权利要求3所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述金属侧壁嵌入所述金属衬底。

5.根据权利要求4所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述金属衬底自上而下依次包括半导体金属接触层、金属支撑层和导热层。

6.根据权利要求5所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述至少一个光格内的所述金属侧壁表面与所述金属衬底的上表面夹角呈钝角。

7.根据权利要求6所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述至少一个光格内的所述金属侧壁表面为随机粗糙面。

8.根据权利要求3所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述电气绝缘层主要由氧化硅、氮化硅、氧化铝、乙烯-四氟乙烯共聚物ETFE、聚对苯二甲酸乙二酯PET,聚丙烯PP或聚酰亚胺PI中的一种或多种组成。

9.根据权利要求4所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述金属侧壁和所述金属衬底的厚度范围为10μm～300μm。

10.根据权利要求5所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：

所述半导体金属接触层的主要组成为金、钯、银、铂、铝、铟、铜、镍、钛中的一种或多种；

所述金属支撑层的主要组成为铜、银、铝、金、铂、鉬、镍、铬中的一种或多种；

所述导热层的主要组成为铜、银、铝、金、铂、鉬、镍、铬中的一种或多种。

11.根据权利要求9所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述半导体金属接触层厚度范围为10nm～300nm。

12.根据权利要求1～11中任意一项所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：两个以上所述光格排布形成光格阵列，其中，每个所述光格的所述金属衬底相互电连接，每个所述光格的所述金属侧壁相互电连接。

13.根据权利要求12所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述光格阵列呈蜂窝状。

14.根据权利要求13所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述光格阵列中的每个所述光格的出光面尺寸范围为10μm～500μm。

15.根据权利要求1～11中任意一项所述的薄膜型半导体芯片结构，其特征在于：所述至少一个光电转换层具有PN结、多量子阱结构、双面异质PN结、多量子线结构、多量子点结构或超晶格结构。