[发明专利]一种接地太赫兹波导悬置微带转换电路连接装置

说明书

本发明涉及太赫兹混频器技术领域，具体公开了一种接地太赫兹波导悬置微带转换电路连接装置，包括金属腔体、一端搭载在金属腔体内的介质基片、设置在介质基片上的金属导带、以及用于连接金属导带和金属腔体的金带线。本发明具有良好的波导悬置微带信号过渡传输性能和接地特性；有效的解决了太赫兹混频器石英基片在电路装配烧结过程中易断裂的问题，提高太赫兹混频器的装配成品率，并且在工艺实现上切实可行。

技术领域

本发明涉及太赫兹混频器技术领域，更具体地讲，涉及一种接地太赫兹波导悬置微带转换电路连接装置。

背景技术

在太赫兹频段，微带线等平面电路传输线传输损耗很大，为了减小信号传递能量的损失，太赫兹器件之间通常采用金属波导联接，器件接口采用波导形式。而太赫兹器件内部电路则一般采用搭载芯片的悬置微带传输线进行集成。因此，波导悬置微带转换电路在太赫兹器件中得到广泛应用。

特别是在太赫兹混频器中，输入信号通过波导悬置微带转换电路加载在肖特基二极管管对上产生新的信号分量实现变频功能。太赫兹混频器电路输出的信号理论上只包含输入信号的谐波信号和交调信号，直流分量只存在于肖特基二极管管对内部。但由于在二极管生产制造和实际装配中难以做到两个肖特基二极管完全一致，导致直流分量在管对外部不能被完全对消，直流分量也存在于混频器输出电路中，这将对混频器正常的工作状态以及后级器件产生影响。因此，需要为电路中存在的直流分量设计接地回路，解决办法为通常在传统的波导悬置微带转换电路处增加接地端。

专利《一种宽频带太赫兹谐波混频器》(中国，CN105207625A，2015.12.30)和专利《异构集成太赫兹混频器及其工艺实现方法》(中国，CN106452367A，2017.02.22)所分别介绍的采用了这种带接地端的波导悬置微带转换电路。但是在实际应用中，由于太赫兹混频器电路所采用的石英基片厚度较薄，平面尺寸较小，长宽比较大，石英基片与金属腔体的热膨胀系数相差较大，而太赫兹混频器电路的接地端和中频输出端即石英基片长方向的两端均被导电胶粘接固定，导致在电路装配烧结的过程石英基片因形变特别容易断裂，装配成品率低。因此需要开发一种技术以解决太赫兹混频器电路中石英基片易断裂的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种接地太赫兹波导悬置微带转换电路连接装置，具有良好的波导悬置微带信号过渡传输性能和接地特性；有效的解决了太赫兹混频器石英基片在电路装配烧结过程中易断裂的问题，提高太赫兹混频器的装配成品率，并且在工艺实现上切实可行。

本发明解决技术问题所采用的解决方案是：

一种接地太赫兹波导悬置微带转换电路连接装置，包括金属腔体、一端搭载在金属腔体内的介质基片、设置在介质基片上的金属导带、以及用于连接金属导带和金属腔体的金带线。

在一些可能的实施方式中，所述金属腔体包括沿竖向设置的波导腔、与波导腔连通形成十字状结构且水平设置的微带电路屏蔽腔；所述微带电路屏蔽腔沿其长方向的一端设置有开口；

所述介质基片安装在微带电路屏蔽腔内且沿微带电路屏蔽腔的长方向设置；

所述金带线的轴线与微带电路屏蔽腔长方向的轴线在同一竖向平面上。

在一些可能的实施方式中，所述微带电路屏蔽腔的底部呈三阶阶梯结构，三阶阶梯结构包括沿竖向设置的阶梯面一、阶梯面二以及阶梯面三；

所述介质基片的一端搭载在阶梯面二上，所述金属导带靠近阶梯面二的一侧通过金带线与阶梯面一连接。

在一些可能的实施方式中，所述阶梯面二与微带电路屏蔽腔的顶面之间形成腔室，所述腔室位于阶梯面一与介质基片之间，所述金带线远离金属导带的一端穿过腔室与阶梯面一连接。

在一些可能的实施方式中，所述波导腔包括矩形波导腔、与矩形波导腔一侧连通的减高波导腔；所述微带电路屏蔽腔贯穿矩形波导腔。