[发明专利]一种可实现反射率定向调控的反PT对称光子多层在审
| 申请号: | 202110985792.2 | 申请日: | 2021-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN113534300A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 刘芳华;张巍 | 申请(专利权)人: | 湖北科技学院 |
| 主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G02F1/01 |
| 代理公司: | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人: | 刘喜 |
| 地址: | 437100 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 实现 反射率 定向 调控 pt 对称 光子 多层 | ||
1.一种可实现反射率定向调控的反PT对称光子多层,其特征在于,所述反PT对称光子多层包括两个对称分布的Thue-Morse序列,其中一个所述Thue-Morse序列SN的迭代规则为:当N=1时,S1=A;当N≥2时SN=SN-1(SN-1中的A由AB代替,SN-1中的B由BA代替);
另一个所述Thue-Morse序列SN'的迭代规则为:当N=1时,S1'=A',当N≥2时SN'=SN-1(SN-1'中的A'由A'B'代替,SN-1'中的B'由B'A'代替);
A为第一电介质层;B为第二电介质层;A'为第三电介质层;B'为第四电介质层;其中下标N为序列的序数,;
第一电介质层的折射率表示为na;第三电介质层的折射率表示为na';第二电介质层的折射率表示为nb;第四电介质层的折射率表示为nb';
na=nA+0.01qi,na'=nA'+0.01qi,nb=nB+0.01qi,nb'=nB'+0.01qi,
其中i为虚数单位,q为增益-损耗因子,nA为第一电介质层折射率的实部,nB为第二电介质层折射率的实部;nA'为第三电介质层折射率的实部,nB'为第四电介质层折射率的实部;
第一电介质层与第四电介质层的折射率实部相同,第二电介质层与第三电介质层的折射率实部相同;光波从反PT对称光子多层的正向或反向垂直入射。
2.根据权利要求1所述一种可实现反射率定向调控的反PT对称光子多层,其特征在于,所述第一电介质层和第四电介质层均为二氧化硅,所述第二电介质层和第三电介质层均为铌酸锂。
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