[发明专利]基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法在审
| 申请号： | 202110985312.2 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113707451A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 江奕天;尹志岗;张兴旺;吴金良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;C30B23/02;C30B29/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 瓦尔 外延 制备 柔性 铁磁性 金属 薄膜 方法 | ||
1.一种基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，其特征在于，包括：
解理氟金云母，得到氟金云母衬底，其中，所述氟金云母衬底包括F-Mica(001)，所述氟金云母衬底的新鲜解理面用于外延生长；
将所述氟金云母衬底置于磁控溅射仪的沉积室内；
采用射频磁控溅射方式将金属元素沉积到所述新鲜解理面上，其中，射频磁控溅射时所述沉积室内温度为600～700℃。
2.根据权利要求1所述的基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，其特征在于，所述解理氟金云母采用机械剥离的方法，以保证所述外延生长的顺利进行。
3.根据权利要求1所述的基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，其特征在于，所述采用射频磁控溅射方式将金属元素沉积到所述新鲜解理面上之前，还包括将所述氟金云母衬底加热至预设温度。
4.根据权利要求1所述的基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，其特征在于，所述将金属元素沉积到所述新鲜解理面上包括：
以铁磁性金属为靶材，在所述氟金云母衬底上沉积金属元素，得到铁磁性金属薄膜。
5.根据权利要求1所述的基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，其特征在于，所述将金属元素沉积到所述新鲜解理面上包括：
所述射频磁控溅射时在沉积室内通入氩气，所述氩气流量范围为0～100sccm。
6.根据权利要求1所述的基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，其特征在于，所述将金属元素沉积到所述新鲜解理面上包括：
使用高能粒子或高能脉冲辐射冲击金属靶材，以使靶材中的金属元素沉积在所述新鲜解理面上。
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