[发明专利]晶界组织重构制备高性能钐钴磁体的方法

权利要求书

1.晶界组织重构制备高性能钐钴磁体的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1，配料和合金熔炼：

根据主合金化学式计算Sm、Co、Fe、Cu、Zr五种原料所需质量并配料，电弧或感应熔炼制备主合金铸锭，所述主合金成分化学式为Sm(Co_balFe_uCu_vZr_w)_z，其中，u=0.25~0.5，v=0.03~0.1，w=0.01~0.04，z=7~8，bal=1-u-v-w；根据第二相晶界合金化学式计算Sm、Co、Fe和Cu元素的配料，熔炼制备第二相晶界合金铸锭，所述第二相晶界合金化学式为Sm(Fe_balCo_aCu_b)_c，其中，0a≤1，0b≤1，0c≤5，bal=1-a-b；

步骤2，粗破碎、中破碎和混粉：

将主合金铸锭进行粗破碎和中破碎，得到主合金粉；将第二相晶界合金铸锭进行粗破碎和中破碎，得到第二相晶界合金粉；然后将主合金粉和第二相晶界合金粉混合均匀，得到混合的粗粉，其中，以所述混合的粗粉的总质量计，第二相晶界合金粉的添加比例为大于0小于等于10wt.%，整个过程在惰性气体保护下进行；

步骤3，球磨或气流磨：

将步骤2所得的混合的粗粉通过球磨或气流磨工艺获得平均粒径在3~5μm的合金粉末；

步骤4，压型和等静压：

将步骤3所得合金粉末放入磁场压型机中取向压型，然后进行冷等静压，获得钐钴磁体压坯；

步骤5，烧结和固溶处理：

将钐钴磁体压坯放置在惰性气体下烧结，降温二次烧结，继续降温固溶，淬火至室温，得到固溶态磁体；

步骤6，时效和缓冷处理：

将固溶态磁体在惰性气体环境下加热到550~750°C保温1-8h进行预时效，然后将温度升高到750°C~850°C保温5~30h进行等温时效，接着以0.4~1°C/min的速率冷却至400~500°C保温5~20h后淬火至室温，得到高性能2-17型钐钴磁体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述主合金为Sm(Co_balFe_0.25Cu_0.07Zr_0.022)_7.7、Sm(Co_balF_e0.285Cu_0.068Zr_0.021)_7.65、Sm(Co_balFe_0.296

Cu_0.065Zr_0.020)_7.7、Sm(Co_balFe_0.315Cu_0.063Zr_0.02)_7.75、Sm(Co_balFe_0.33Cu_0.06Zr_0.019)_7.8或Sm(Co_balFe_0.35Cu_0.054Zr_0.018)_7.8。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述第二相晶界合金粉的添加比例为大于0小于等于4.5wt.%。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述第二相晶界合金粉的添加比例为1.5wt.%或2.5wt.%或3.5wt.%。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述的惰性气体为Ar气或N₂。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中，所述的平均粒径在3~5μm的合金粉末中，粒径小于1μm颗粒低于3%，即粒径小于1μm颗粒数量占总颗粒数比例低于3%。