[发明专利]声表面波谐振器、其制造方法和无线电电路

权利要求书

1.一种声表面波谐振器，包括：

石英晶体基片；和

IDT电极，所述IDT电极形成于所述石英晶体基片上，其中

所述石英晶体基片包括：

AT切0°X传播第一石英晶体基片；和

接合在所述第一石英晶体基片上的Z切第二石英晶体基片，声表面波在第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且

所述第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2倍至1.0倍。

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其中，所述第二石英晶体基片的厚度是所述波长的0.35倍至0.55倍。

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其中，所述声表面波谐振器还包括接合到所述第二石英晶体基片的5～64°Y切X传播LiNbO₃基片，其中，

所述IDT电极形成于所述LiNbO₃基片上。

4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其中，所述LiNbO₃基片的厚度是所述波长的0.1倍至0.7倍。

5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其中，所述第二石英晶体基片和所述IDT电极被介电膜覆盖，所述介电膜具有的频率温度系数为负值。

6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其中，所述介电膜为Al₂O₃膜。

7.一种用于制造声表面波谐振器的方法，包括以下步骤：

(a)将Z切第二石英晶体基片接合在AT切0°X传播第一石英晶体基片上；和

(b)在所述第二石英晶体基片上形成IDT电极，其中

声表面波在所述第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且

所述第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2倍至1.0倍。

8.根据权利要求7所述的用于制造声表面波谐振器的方法，其中，所述第二石英晶体基片的厚度是所述波长的0.35倍至0.55倍。

9.根据权利要求7的用于制造声表面波谐振器的方法，其中，所述方法还包括：在步骤(a)和(b)之间，在所述第二石英晶体基片上接合5～64°Y切X传播LiNbO₃基片的步骤，其中

在步骤(b)中，在所述LiNbO₃基片上形成所述IDT电极。

10.根据权利要求9所述的用于制造声表面波谐振器的方法，其中，所述LiNbO₃基片的厚度是所述波长的0.1倍至0.7倍。

11.根据权利要求7所述的用于制造声表面波谐振器的方法，其中，方法还包括：在步骤(b)之后，以介电膜覆盖所述第二石英晶体基片和所述IDT电极的步骤，所述介电膜具有的频率温度系数为负值。

12.根据权利要求11所述的用于制造声表面波谐振器的方法，其中，所述介电膜为Al₂O₃膜。

13.一种无线电电路，包括：

第一放大器，其被构造为能够放大通过天线无线接收的接收射频信号；

第二放大器，其被构造为能够放大待从所述天线无线传输的传输射频信号；

接收射频滤波器，由所述第一放大器放大的接收射频信号通过所述接收射频滤波器；以及

传输射频滤波器，待输入到所述第二放大器的传输射频信号通过所述传输射频滤波器，其中

所述接收射频滤波器和所述传输射频滤波器中的至少一者包括声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括：

石英晶体基片；和

形成于所述石英晶体基片上的IDT电极，

所述石英晶体基片包括：

AT切0°X传播第一石英晶体基片；和

接合在所述第一石英晶体基片上的Z切第二石英晶体基片，声表面波在所述第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且

所述第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2倍至1.0倍。