[发明专利]一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 202110982679.9 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113735594B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 秦明礼;王月隆;田建军;吴昊阳;贾宝瑞;张智睿;章林;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 热压 烧结 制备 导热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将氮化硅粉体与烧结助剂进行湿法球磨混合，所得浆料进行真空烘干；
将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下预处理；
将预处理后的粉体进行研磨、过筛；
将所述粉体进行热压烧结。
2.根据权利要求1所述一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，烧结助剂选取La(NO3)3、Yb(NO3)3、Y(NO3)3或Nb(NO3)3的一种，以及Mg(NO3)2、MgCl2或MgSO4的一种，氮化硅粉体与烧结助剂的质量比为95～90:10～5，其中稀土硝酸盐烧结助剂含量是换算为Re2O3、镁盐烧结助剂含量是换算为MgO计算的。
3.根据权利要求1所述一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，预处理是在1300℃～1550℃、常压下保温1～5h，并伴有流动的氮气。
4.根据权利要求1所述一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，预处理后的粉体进行研磨，研磨罐和研磨球的材质为碳化钨或氮化硅；研磨后过不低于80目的筛网。
5.根据权利要求1所述一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，热压烧结温度为1800℃～1950℃；施加压力为30～60MPa，从1500℃开始缓慢增压，至目标温度达到最大值；烧结温度为1～10h，并伴有流动氮气。
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