[发明专利]一种稳覆盖的超高频RFID平面近场天线

权利要求书

1.一种稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，包括依次层叠的金属地板、介质板和辐射层；所述辐射层由功分网络和N个辐射器构成；所述功分网络位于所述辐射层的中间部位，所述辐射器均匀分布在所述功分网络周围；

所述辐射器包括辐射体、第一跳线、第二跳线组和吸收枝节组件；所述辐射体位于所述辐射器的中间部位，所述吸收枝节组件将所述辐射体包围；

所述功分网络包括第一微带组，所述第一微带组中第一微带的数目与所述辐射器的数目匹配；所述辐射体由主体微带构成；所述第一微带的一端与所述主体微带的一端相接，相接点为第一点；所述主体微带绕着所述第一点旋转弯折延伸；

所述吸收枝节组件由M组吸收枝节组成，所述吸收枝节包括弧形微带和第一集总元件；所述弧形微带的一端通过所述第一集总元件与所述金属地板连接，另一端与所述主体微带的位于辐射体外缘的位置处相接；所述弧形微带的趋向第一集总元件的延伸方向与所述主体微带的远离第一点的旋转延伸方向相反；

一个所述吸收枝节上设置有第一缺口；所述主体微带上设置有第二缺口组，所述第二缺口组中的第二缺口的数目与所述第二跳线组中的第二跳线的数目匹配；所述第一微带依次从所述第一缺口、所述第二缺口组穿过后延伸至所述第一点；所述吸收枝节的被所述第一缺口分割的两部分通过所述第一跳线导通；沿着主体微带的旋转延伸方向，所述主体微带的被所述第二缺口分割的且相邻的两部分通过所述第二跳线导通；

其中，N为2~4的自然数，M为3~18的自然数。

2.如权利要求1所述的稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，N为4；四条所述第一微带之间均相互平行；两条所述第一微带的远离第一点端相接于一个第二点，另外两条所述第一微带的远离第一点端相接于另外一个第二点；所述功分网络还包括第二微带和两条V形微带；所述第二微带的一端与馈电输入端相接，另一端与两条所述V形微带相接；所述第二微带的与所述V形微带的连接点为第三点；两所述第二点分居所述第三点的两侧；两条所述V形微带关于所述第三点中心对称；从第三点出发，所述V形微带先向与所述第一微带长度方向一致的方向延伸，然后弯折返回所述第三点附近，最后向靠近所述第二点的方向延伸；两所述V形微带之间的延伸方向始终相反。

3.如权利要求2所述的稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，沿着趋向第一集总元件的方向，所述弧形微带到所述第一点的距离逐步增大。

4.如权利要求3所述的稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，所述吸收枝节均匀分布在所述辐射体四周；从所述第一点出发的射线至少经过一条所述弧形微带。

5.如权利要求4所述的稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，所述吸收枝节还包括在辐射体径向方向上的连接线，所述弧形微带通过所述连接线与所述主体微带的位于辐射体外缘的位置处相接；所述主体微带的与所述连接线连接的位置为主体微带的延伸拐点。

6.如权利要求5所述的稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，所述功分网络还包括两条第三微带；所述V形微带通过所述第三微带与所述第二点相接。

7.如权利要求6所述的稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，所述功分网络还包括用于调节第一微带特征阻抗的调节组件；所述调节组件包括第二集总元件和第四微带；所述第二集总元件的一端与所述第一微带的中间部位连接，另一端与所述第四微带连接。

8.如权利要求5至7任一所述的稳覆盖的超高频RFID平面近场天线，其特征在于，所述金属地板上设置有数目与所述第一跳线数目匹配的第一镂空槽、数目与所述第二跳线数目匹配的第二镂空槽；所述第一跳线位于所述第一镂空槽内，所述第二跳线位于所述第二镂空槽内；所述辐射器还包括连接探针组，所述连接探针组由贯穿介质板的连接探针组成；所述主体微带通过连接探针与所述第二跳线连接，所述弧形微带通过连接探针与所述第一跳线连接，所述第一集总元件通过连接探针与所述金属地板连接。