[发明专利]半导体晶圆破裂的发生率降低方法在审
申请号: | 202110982250.X | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114112653A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 藤濑淳;小野敏昭;多久岛武 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | G01N3/08 | 分类号: | G01N3/08;G01N3/20;H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;张一舟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 破裂 发生率 降低 方法 | ||
1.一种方法,是抑制半导体晶圆破裂的发生率的方法,其特征在于,
在从半导体锭制造半导体晶圆而在被制造的半导体晶圆上形成半导体元件的工艺中,在第1工序和第2工序之间具备第3工序,
在前述第1工序中,在前述半导体晶圆处会形成伤痕,
在前述第2工序中,对经过该第1工序的前述半导体晶圆施加应力而前述半导体晶圆会破裂,
在前述第3工序中,进行弯曲试验来判定前述半导体晶圆是否破裂,将未破裂的前述半导体晶圆向前述第2工序搬运,前述弯曲试验为,将与前述第2工序中对前述半导体晶圆施加的应力对应的应力对前述半导体晶圆施加。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
前述第3工序在即将进行前述第2工序前进行。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
前述第3工序相对于经过前述第1工序的前述半导体晶圆的全部进行。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
前述第3工序仅相对于经过前述第1工序的前述半导体晶圆的一部分进行。
5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
在前述第1工序和前述第3工序之间还具备检查前述半导体晶圆的外观的第4工序,相对于在该第4工序中判定成不良品的半导体晶圆进行前述第3工序。
6.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
前述第3工序为,使前述半导体晶圆沿晶圆周向旋转而对于对前述半导体晶圆施加的应力的位置不同的多个配置进行。
7.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
前述半导体晶圆是硅晶圆。
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