[发明专利]光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片

说明书

本申请公开了一种光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片，属于半导体技术领域，其中，光罩缺陷检测方法包括：获取光罩的生产级电子束曝光系统文件；检测生产级电子束曝光系统文件中任意图案的标识，得到基准图案；调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与基准图案是否相同，待检测图案为与基准图案重复的图案。该方法实现了光罩缺陷的自动化检测，能够节省人力成本，并且该检测方法结果准确。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片。

背景技术

光罩，也叫光掩膜版，英文名字叫Mask，是一种由石英为材料制成的，可以用在半导体曝光制程上的母版。

就现有的半导体元件制造技术来说，半导体元件的电路图案是通过光罩将电路图案转印至晶圆的表面上形成的。

在半导体制造过程中，光罩的缺陷检测工艺流程是必不可少的环节，目前的光罩检测方式均是人工检测，费时费力。

发明内容

本申请的目的是提供一种光罩缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质及芯片以至少解决现有光罩缺陷检测费时费力的问题。

本申请的技术方案如下：

根据本申请实施例的第一方面，提供一种光罩缺陷检测方法，该方法可以包括：获取光罩的生产级电子束曝光系统文件；检测生产级电子束曝光系统文件中任意图案的标识，得到基准图案；调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与基准图案是否相同，待检测图案为与基准图案重复的图案。

进一步地，调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与基准图案是否相同，可以包括：获取光罩的图案坐标书；将图案坐标书导入生产级电子束曝光系统；将基准坐标定位于基准图案，将运算坐标定位于待检测图案，调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能进行异或运算，对比待检测图案与基准图案是否相同。

进一步地，将基准坐标定位于基准图案，将运算坐标定位于待检测图案，可以包括：将基准坐标基于坐标原点向外延伸预设距离形成基准坐标区域；将基准坐标区域定位于基准图案；将运算坐标基于坐标原点向外延伸预设距离形成运算坐标区域；将运算坐标区域定位于待检测图案。

进一步地，对比待检测图案与基准图案是否相同，具体可以为：将待检测图案的每个标识与基准图案对应的标识进行相减。

进一步地，在获取光罩的生产级电子束曝光系统文件之前，光罩缺陷检测方法还可以包括：获取光罩的图形数据流文件，并将图形数据流文件转换为生产级电子束曝光系统文件。

进一步地，在对比待检测图案与基准图案是否相同之后，光罩缺陷检测方法还可以包括：若异或运算结果为0，确定光罩为正常光罩，发出无异常提示。

进一步地，在对比待检测图案与基准图案是否相同之后，光罩缺陷检测方法还可以包括：若异或运算结果为1，确定光罩为异常光罩，发出异常提示。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种光罩缺陷检测装置，该装置可以包括：获取模块，用于获取光罩的生产级电子束曝光系统文件；基准图案确定模块，用于检测生产级电子束曝光系统文件中任意图案的标识，得到基准图案；对比检测模块，用于调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能，对比待检测图案与基准图案是否相同，待检测图案为与基准图案重复的图案。

进一步地，对比检测模块，可以包括：坐标书获取单元，用于获取光罩的图案坐标书；坐标书导入单元，用于将图案坐标书导入生产级电子束曝光系统；对比检测单元，用于将基准坐标定位于基准图案，将运算坐标定位于待检测图案，调用生产级电子束曝光系统的异或运算功能进行异或运算，对比待检测图案与基准图案是否相同。