[发明专利]阵列基板及其制备方法、电子纸显示装置在审
| 申请号: | 202110979550.2 | 申请日: | 2021-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN113687550A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 杨姗姗;冯玉春;胡龙敢;黄张翔;林亮珍;陈运金;欧忠星;孙茉莉;翟艳丽;冯宇;王灿;全珉赏 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/167 | 分类号: | G02F1/167;G02F1/1685;G02F1/1676;G02F1/16766 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李远思 |
| 地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 电子 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,用于电子纸显示装置,所述阵列基板包括位于衬底上的栅线和数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域,其特征在于,
至少部分所述像素区域包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极,所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极,所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线,所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极,所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线;
其中,所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上,所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域,所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容,所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述公共电极在所述衬底上的正投影,且所述第二像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素电极在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极、所述第二薄膜晶体管的第二极以及所述数据线同层设置,其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部,所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间,被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述第一像素电极所在层上方的第一绝缘层,其中所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述栅线同层设置在所述第一绝缘层上方。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极为同一栅极金属,其中所述栅极金属在所述衬底上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的沟道区和第二薄膜晶体管的沟道区在所述衬底上的正投影。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述公共电极所在层上方的第二绝缘层,其中所述第二像素电极设置在所述第二绝缘层上方。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:形成在所述第二绝缘层中的过孔,其中所述第二像素电极通过所述过孔连接所述第二薄膜晶体管的第一极。
8.一种电子纸显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
9.一种用于电子纸显示装置的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成交叉限定出多个像素区域的栅线和数据线,以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极;其中,
所述至少部分像素区域被形成为包括位于所述衬底上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极,所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极分别连接所述第一像素电极,所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述数据线,所述第二薄膜晶体管的第一极连接所述第二像素电极,所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接栅线;
其中,所述第一像素电极、所述公共电极和所述第二像素电极依次层叠设置在所述衬底上,所述第二像素电极在所述衬底上的正投影分别与所述公共电极在所述衬底上的正投影和所述第一像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域,所述第二像素电极与所述公共电极形成存储电容,所述公共电极与所述第一像素电极形成补偿电容。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底上形成交叉限定出多个像素区域栅线和数据线,以及至少部分像素区域中的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极、公共电极和第二像素电极包括:
利用一次构图工艺,在衬底上形成第一像素电极、第一薄膜晶体管的第一极和第二极、第二薄膜晶体管的第一极和第二极、数据线,其中所述第一像素电极包括电极板形成部以及延伸部,所述延伸部延伸到所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的第二极之间,被复用为所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极;
形成覆盖所述第一像素电极、所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极、所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极、所述数据线的第一绝缘层;
利用一次构图工艺,在所述第一绝缘层上形成公共电极、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、栅线;
形成覆盖所述公共电极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述栅线的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层开设过孔;
在所述第二绝缘层上形成通过所述过孔连接所述第二薄膜晶体管的第一极的第二像素电极。
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