[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基底，界定有一主动区；

一第一栅极结构，设置在该主动区中，并包含一介电材料；

一第二栅极结构，设置在该主动区中，并包含该介电材料；以及

一鳍式结构，具有一第一上表面，该第一上表面与该第一栅极结构与该第二栅极结构交错设置；

其中，该第一栅极结构具有一第二上表面，该第二栅极结构具有一第三上表面，以及该第二上表面与该第三上表面低于该第一上表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第三上表面低于该第二上表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二栅极结构深于该第一栅极结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一栅极结构与该第二栅极结构具有不同直径以及不同深度。

5.一种半导体结构的制备方法，包括：

形成一栅极沟槽以及一第一鳍式结构在一基底的一主动区中，该第一鳍式结构邻近该栅极沟槽；

以一介电材料充填该栅极沟槽；

形成一第一光刻胶图案在该主动区上；

执行一第一蚀刻工艺，以部分移除该第一鳍式结构而形成一第二鳍式结构，其中，该第二鳍式结构具有一突出部；

形成一硬掩模在该主动区上；以及

执行一第二蚀刻工艺，以移除该介电材料的一部分以及该第二鳍式结构的该突出部，以形成一第三鳍式结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中该栅极沟槽的形成包括形成一第一栅极沟槽以邻近一第二栅极沟槽，其中，该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽沿一第一方向设置。

7.如权利要求6所述的制备方法，其中该第二栅极沟槽形成得比该第一栅极沟槽更深。

8.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其中该栅极沟槽的形成包括形成该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽，以具有不同直径以及不同深度。

9.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其中该第一蚀刻工艺的执行包括形成一第一凹陷通道，该第一凹陷通道沿该第一方向延伸。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其中在该第一蚀刻工艺之后，该第二鳍式结构的一第二高度小于该第一鳍式结构的一第一高度。

11.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中该硬掩模的形成包括：

形成一罩盖层以覆盖该主动区；

形成一掩模层在该罩盖层上；

形成一抗反射涂布层在该掩模层上；以及

形成一第二光刻胶图案在该抗反射涂布层上。

12.如权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其中该掩模层使用该第二光刻胶图案当作一蚀刻掩模进行蚀刻，以形成一掩模图案。

13.如权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其中该罩盖层使用该掩模图案当作一蚀刻掩模进行蚀刻，以形成一罩盖图案。

14.如权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其中该罩盖图案与该掩模图案一起形成在该主动区上的该硬掩模。

15.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中该第二蚀刻工艺的执行包括研磨该第二鳍式结构的该突出部。

16.如权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其中在该第二蚀刻工艺之后，该第三鳍式结构的一第三高度小于该第二鳍式结构的一第二高度。

17.如权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其中该第二蚀刻工艺的执行包括形成一第二凹陷通道，该第二凹陷通道沿该第一方向延伸。