[发明专利]一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM

权利要求书

1.一种MRAM写失效的检测处理方法，其特征在于，包括：

步骤1：采用电压值为V1的写电压，向所述MRAM的待测存储区写入第一数据；其中，所述待测存储区在应用时的正常写电压值为V2，且V1＜V2；

步骤2：读出所述待测存储区中所存储的数据，获得第二数据；

步骤3：比较所述第一数据和所述第二数据，检测出所述待测存储区中写失效的存储元。

2.如权利要求1所述的检测处理方法，其特征在于，所述MRAM包含主存储区和冗余存储区，所述待测存储区位于所述主存储区，所述冗余存储区包含有B个修复单元；

在所述向所述MRAM的待测存储区写入第一数据之前，所述检测处理方法还包括：

将所述待测存储区划分为多个待测单元，每个待测单元中的存储元个数与所述修复单元中的存储元个数相同。

3.如权利要求2所述的检测处理方法，其特征在于，所述采用电压值为V1的写电压，向所述MRAM的待测存储区写入第一数据包括：

采用电压值为V1的写电压，分别向每个待测单元中写入所述第一数据；

所述读出所述待测存储区中所存储的数据，获得第二数据包括：读出每个待测单元中所存储的数据，从每个待测单元中获得第二数据；

所述比较所述第一数据和所述第二数据，检测出所述待测存储区中写失效的存储元包括：比较写入每个待测单元的第一数据、以及从该待测单元中获取的第二数据，检测出每个待测单元中写失效的存储元。

4.如权利要求2所述的检测处理方法，其特征在于，还包括：

步骤4：统计每个待测单元中写失效的存储元个数，并标记出写失效存储元个数排名为前M个的待测单元；其中，M≤B；

步骤5：重复所述步骤1～4，重复次数为N次，获得N×M个标记出的待测单元。

5.如权利要求4所述的检测处理方法，其特征在于，还包括：

步骤6：从所述N×M个标记出的待测单元中，统计并标记出重复频次排名为前M个的待测单元；

步骤7：从所述冗余存储区中选出M个修复单元，对所述步骤6中标记出的M个待测单元进行冗余修复。

6.一种MRAM写失效的检测处理电路，其特征在于，包括设置在所述MRAM中的发送控制模块、数据发生器、电源模块、写操作模块、读操作模块及比较校验模块；其中，

所述发送控制模块用于从所述MRAM的存储区中划定出待测存储区；

所述数据发生器用于产生第一数据；

所述电源模块用于产生电压值为V1的写电压；其中，所述待测存储区在应用时的正常写电压值为V2，且V1＜V2；

所述写操作模块用于采用所述电压值为V1的写电压，向所述待测存储区写入第一数据；

所述读操作模块用于读取所述待测存储区中所存储的数据，获得第二数据；

所述比较校验模块用于比较所述第一数据和所述第二数据，检测出所述待测存储区中写失效的存储元。

7.如权利要求6所述的检测处理电路，其特征在于，所述MRAM包含有主存储区和冗余存储区，所述冗余存储区包含有B个修复单元；

所述发送控制模块用于从所述主存储区中划定出所述待测存储区，并将所述待测存储区划分为多个待测单元；每个待测单元中的存储元个数与所述修复单元中的存储元个数相同。

8.如权利要求7所述的检测处理电路，其特征在于，所述写操作模块用于采用所述电压值为V1的写电压，分别向每个待测单元中写入所述第一数据；

所述读操作模块用于读取每个待测单元中所存储的数据，从每个待测单元中获得第二数据；

所述比较校验模块用于比较写入每个待测单元的第一数据、以及从该待测单元中获取的第二数据，检测出每个待测单元中写失效的存储元。