[发明专利]一种碳化硅微反应组件的制造方法及碳化硅微反应组件有效

专利信息
申请号: 202110977577.8 申请日: 2021-08-24
公开(公告)号: CN113698207B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 闫永杰;姚玉玺 申请(专利权)人: 南通三责精密陶瓷有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B37/00;C04B41/91;B01J19/00;B01J19/24
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 肖照旭
地址: 226001 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 反应 组件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种碳化硅微反应组件的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:

(A)素胚成型:采用碳化硅喷雾造粒粉体,直接等静压成型,得到素胚;

(B)素胚加工:根据设计尺寸对反应板素胚进行平面加工,不加工微通道;

(C)高温烧结:将步骤(B)获得的板进行真空微负压烧结;

(D)反应板加工:采用激光加工工艺在所需的反应板上加工微通道,并对进出料孔和定位孔进行精加工;

(E)高温焊接:将耐腐蚀哈氏合金箔片固定于相邻的板之间,于1300-1400℃和10-50bar的压力下进行焊接,得到碳化硅微反应组件;

所述步骤(B)还包括:根据换热板的设计尺寸和高温烧结收缩率,对大小、总厚度、换热介质槽道预留一定的烧结余量,对换热板素胚进行加工中心加工;

所述步骤(D)还包括换热板加工,具体为:采用磨床对换热板进行精加工;

所述反应板上的微通道的宽度为0.1-0.8mm;

所述反应板上的微通道的深度为0.2-1mm。

2.如权利要求1所述的碳化硅微反应组件的制造方法,其特征在于:所述哈氏合金箔片为哈氏合金C系列箔片,所述哈氏合金箔片上具有与微通道或换热介质槽道结构相同的镂空结构。

3.如权利要求1所述的碳化硅微反应组件的制造方法,其特征在于:所述哈氏合金箔片的厚度为0.05-0.1mm。

4.一种碳化硅微反应组件,其特征在于:采用权利要求1-2任一项所述的碳化硅微反应组件的制造方法制造而成。

5.如权利要求4所述的碳化硅微反应组件,其特征在于:包括至少两块固定连接的反应板,所述反应板之间设有用于进行反应的微通道。

6.如权利要求5所述的碳化硅微反应组件,其特征在于:还包括设置于反应板外侧的两块换热板,所述换热板与相邻的反应板之间设有用于传输换热介质的换热介质槽道。

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