[发明专利]一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路

权利要求书

1.一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，包括MCU控制电路，其特征在于：还包括浪涌抑制电路、电压反馈电路、激光器驱动电路，所述MCU控制电路、浪涌抑制电路和激光器驱动电路依次连接，且激光器驱动电路的控制端还直接与MCU控制电路的输出端连接，浪涌抑制电路还通过电压反馈电路与MCU控制电路的输入端连接；

其中，电压反馈电路用于监测超大储能电容两端的电压，并将监测电压的大小作为电压信息反馈给MCU控制电路；

MCU控制电路用于采集电压反馈电路反馈的电压信息并依据电压信息控制浪涌抑制电路动作；

浪涌抑制电路中具有多个独立设置并受MCU控制电路控制的限流通道，用于为超大储能电容充电；

该MCU控制电路还用于控制激光器驱动电路的工作状态，当激光器驱动电路开始工作时，超大储能电容和激光器驱动电路共同驱动激光器工作。

2.根据权利要求1所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：所述MCU最小系统采用STM32系列单片机。

3.根据权利要求2所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：所述MCU最小系统的7脚为复位端口，MCU最小系统的1脚为U1输出。

4.根据权利要求2所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：所述MCU最小系统的10脚直接连接至激光器驱动电路，11脚连接至电压反馈电路，12、13以及18脚分别连接至对应的限流通道。

5.根据权利要求4所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：多个限流通道的限流阻值不同。

6.根据权利要求5所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：每个限流通道均包括NPN型三极管、漏源极电阻、限流二极管以及限流电阻，其中，NPN型三极管的基极连接至MCU最小系统，发射极接地，集电极分别连接至漏源极电阻的栅极和源极，且源极连接至供电电压，漏源极电阻的漏极依次经限流二极管和限流电阻后连接至超大储能电容的正极板，超大储能电容的正极板还连接至电压反馈电路，且限流二极管的正极与漏源极电阻的漏极相连。

7.根据权利要求6所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：所述限流通道有3个，3个限流通道中的NPN型三极管的基极分别连接至MCU最小系统的12、13以及18脚。

8.根据权利要求7所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：所述电压反馈电路包括运放U2、电阻R13以及电阻R14，运放U2的1脚与4脚相连，且1脚还连接至MCU最小系统的11脚，2脚接地，5脚接+3.3V供电电压，3脚经电阻R13后连接至超大储能电容的正极板，且3脚还经电阻R14后接地。

9.根据权利要求4所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：所述激光器驱动电路包括驱动芯片U3、发光二极管LD1以及MOS管N1，驱动芯片U3的4脚和5脚接地，6脚接MCU最小系统的10脚，1脚接驱动供电电压，2脚和3脚分别与一个电阻相连后共同连接至MOS管N1的栅极，MOS管N1的源极接地，漏极与发光二极管LD1的负极相连，发光二极管LD1的正极连接至超大储能电容的正极板。

10.根据权利要求9所述的一种适用于超大储能电容的抑制启动浪涌电流电路，其特征在于：所述驱动供电电压为15V。