[发明专利]一种回差电路在审

专利信息
申请号: 202110974861.X 申请日: 2021-08-24
公开(公告)号: CN113809906A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 广州金升阳科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510670 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路
【权利要求书】:

1.一种回差电路,其特征在于,包括:第一开关管、第二开关管、电阻R1、回差实现电路、第一信号输入端、第二信号输入端和接地端;

所述的第一开关管的一端同时连接所述的回差实现电路的一端、所述的电阻R1的一端和所述的第二开关管的控制端,所述的第一开关管的控制端连接所述的第二开关管的一端,所述的第一开关管的另一端同时连接所述的回差实现电路的另一端和所述的第一信号输入端,所述的第二开关管的另一端同时连接所述的电阻R1的另一端、所述的第二信号输入端和所述的接地端;

所述的回差实现电路在所述的第二开关管导通后,能在所述的第一信号输入端与所述的第二开关管的控制端之间引入电压差。

2.根据权利要求1所述的回差电路,其特征在于:所述的回差实现电路为稳压二极管Z1,所述的稳压二极管Z1的阳极为所述的回差实现电路的一端,所述的稳压二极管Z1的阴极为所述的回差实现电路的另一端。

3.根据权利要求1所述的回差电路,其特征在于:所述的回差实现电路为电阻R2。

4.根据权利要求1至3任一项所述的回差电路,其特征在于:所述的第一开关管为MOS管Q1,所述的MOS管Q1的漏极为所述的第一开关管的一端,所述的MOS管Q1的源极为所述的第一开关管的另一端,所述的MOS管Q1的栅极为所述的第一开关管的控制端。

5.根据权利要求1至3任一项所述的回差电路,其特征在于:所述的第二开关管为MOS管Q2,所述的MOS管Q2的漏极为所述的第二开关管的一端,所述的MOS管Q2的源极为所述的第二开关管的另一端,所述的MOS管Q2的栅极为所述的第一开关管的控制端。

6.根据权利要求1至3任一项所述的回差电路,其特征在于:所述的第二开关管为三极管Q2,所述的三极管Q2的集电极为所述的第二开关管的一端,所述的三极管Q2的发射极为所述的第二开关管的另一端,所述的三极管Q2的基极为所述的第一开关管的控制端。

7.一种回差电路,其特征在于,包括:MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、稳压二极管、第一信号输入端、第二信号输入端和接地端;

所述的MOS管Q1的漏极同时连接所述的稳压二极管的阳极、所述的电阻R1的一端和所述的MOS管Q2的栅极,所述的MOS管Q1的栅极连接所述的MOS管Q2的漏极,所述的MOS管Q1的源极同时连接所述的稳压二极管的阴极和所述的第一信号输入端,所述的MOS管Q2的源极同时连接所述的电阻R1的另一端、所述的第二信号输入端和所述的接地端。

8.一种回差电路,其特征在于,包括:MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、第一信号输入端、第二信号输入端和接地端;

所述的MOS管Q1的漏极同时连接所述的电阻R2的一端、所述的电阻R1的一端和所述的MOS管Q2的栅极,所述的MOS管Q1的栅极连接所述的MOS管Q2的漏极,所述的MOS管Q1的源极同时连接所述的电阻R2的另一端和所述的第一信号输入端,所述的MOS管Q2的源极同时连接所述的电阻R1的另一端、所述的第二信号输入端和所述的接地端。

9.一种回差电路,其特征在于,包括:MOS管Q1、三极管Q2、电阻R1、稳压二极管、第一信号输入端、第二信号输入端和接地端;

所述的MOS管Q1的漏极同时连接所述的稳压二极管的阳极、所述的电阻R1的一端和所述的三极管Q2的基极,所述的MOS管Q1的栅极连接所述的三极管Q2的集电极,所述的MOS管Q1的源极同时连接所述的稳压二极管的阴极和所述的第一信号输入端,所述的三极管Q2的发射极同时连接所述的电阻R1的另一端、所述的第二信号输入端和所述的接地端。

10.一种回差电路,其特征在于,包括:MOS管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、第一信号输入端、第二信号输入端和接地端;

所述的MOS管Q1的漏极同时连接所述的电阻R2的一端、所述的电阻R1的一端和所述的三极管Q2的基极,所述的MOS管Q1的栅极连接所述的三极管Q2的集电极,所述的MOS管Q1的源极同时连接所述的电阻R2的另一端和所述的第一信号输入端,所述的三极管Q2的发射极同时连接所述的电阻R1的另一端、所述的第二信号输入端和所述的接地端。

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