[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202110974141.3 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN114122044A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 申东熹;孙宣权;车娜贤 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.显示设备,包括:
平坦化层,设置在衬底上;
第一对准电极和第二对准电极,在所述平坦化层上在第一方向上延伸并且彼此间隔开;
第一绝缘层,设置在所述第一对准电极和所述第二对准电极上,所述第一绝缘层包括在所述第一对准电极和所述第二对准电极之间暴露所述平坦化层的第一开口;
发光元件,在所述第一开口中设置在所述平坦化层上;
第一接触电极和第二接触电极,设置在所述第一绝缘层上,所述第一接触电极电接触所述发光元件的第一端,并且所述第二接触电极电接触所述发光元件的第二端;以及
第二绝缘层,设置在所述发光元件上。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一对准电极、所述第二对准电极和所述发光元件设置在相同的层上且彼此间隔开,并且接触所述平坦化层。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,
所述第一对准电极的一端面向所述发光元件的所述第一端,以及
所述第二对准电极的一端面向所述发光元件的所述第二端。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,
所述第一接触电极设置在所述第一对准电极的一端与所述发光元件的所述第一端之间,以及
所述第二接触电极设置在所述第二对准电极的一端与所述发光元件的所述第二端之间。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,
所述第一绝缘层包括暴露所述第一对准电极和所述第二对准电极的第二开口,
所述第一接触电极通过所述第二开口中的一个电接触所述第一对准电极,以及
所述第二接触电极通过所述第二开口中的另一个电接触所述第二对准电极。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一开口和所述第二开口平行于所述第一对准电极延伸。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第二绝缘层与所述第一开口重叠且平行于所述第一对准电极延伸。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述第二绝缘层不与所述第一对准电极和所述第二对准电极重叠,并且具有孤立图案。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,在与所述第一方向垂直的第二方向上,所述第二绝缘层的宽度小于所述第一开口的宽度且大于所述发光元件的长度。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二绝缘层与所述第一接触电极、所述第二接触电极和所述发光元件中的全部重叠。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二绝缘层与所述发光元件重叠且不与所述第一接触电极和所述第二接触电极重叠。
12.显示设备,包括:
平坦化层,设置在衬底上;
第一对准电极和第二对准电极,在所述平坦化层上在第一方向上延伸并且彼此间隔开;
第一绝缘层,设置在所述第一对准电极和所述第二对准电极上,所述第一绝缘层包括位于所述第一对准电极和所述第二对准电极之间的凹槽;
发光元件,设置在所述第一绝缘层上并且与所述凹槽重叠;
第一接触电极和第二接触电极,设置在所述第一绝缘层上,所述第一接触电极电接触所述发光元件的第一端,并且所述第二接触电极电接触所述发光元件的第二端;以及
第二绝缘层,设置在所述发光元件上。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述凹槽是所述第一绝缘层的比所述第一绝缘层的其他部分薄的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的