[发明专利]阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202110972622.0 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113782545B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 王款 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/544;G02F1/1333;G03F9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板及显示面板,本申请的阵列基板包括金属层以及与所述金属层同层设置的对位标记,所述对位标记包括标记本体、以及形成在所述标记本体上的至少一分割间隙,其中所述分割间隙将所述标记本体分割为多个子部。本申请的阵列基板及显示面板能防止对位标记上的光刻胶剥离,进而能防止上述光刻影响到薄膜晶体管的沟道区的蚀刻从而导致产品报废,最终能提升产品良率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种能提升产品良率且制作工艺简单的阵列基板及显示面板。
背景技术
目前,在制作红色光阻(R)、绿色光阻(G)以及蓝色光阻(B)等色阻的对位工序中,需要在彩膜基板或阵列基板上分别设置对位标记(mark),然后再通过对位标记使彩膜基板或阵列基板和掩膜板对齐,之后在进行曝光。
为了便于曝光机识别,也为了对位标记的制作,现有的对位标记的面积一般比较大。请参考图1和图2,现有的对位标记900一般采用规格为4*16um的矩形状标记。
当前,当色阻层被制作于在阵列基板上时,应用于色阻的对位标记图案一般与阵列基板的金属层同层设置。例如,对位标记一般与栅极同层设置。而在阵列基板的后续金属层的图案化制程中,由于现有对位标记900面积较大的原因,部分对位标记900上的光刻胶(PR)901会发生剥离或脱落。例如,在现有子像素的排布方式下,绿色子像素对位标记(Gmark)上的光刻胶容易剥离或脱落。
而脱落的光刻胶901会影响到阵列基板的后续制程。例如,脱落的光刻胶901可能会影响到薄膜晶体管的源漏金属层在沟道区的蚀刻(例如会造成TFT的沟道区内AS残留),从而导致产品报废。
而若减小对位标记的尺寸,则会导致对位标记的制作难度增加,也会造成对位标记的位置精度也会降低。此外,对位标记的尺寸的变化也会限制曝光机的精度范围,造成所述对位标记可能无法被部分精度的曝光机识别。
因此,亟需提供一种阵列基板及显示面板,以解决上述技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本申请提供一种阵列基板及显示面板,能防止对位标记上的光刻胶剥离,进而能防止剥离的光刻胶影响到后续的薄膜晶体管制程,最终能提升产品良率。
为了实现上述目的,本申请所述阵列基板及显示面板采取了以下技术方案。
本申请提供一种阵列基板,包括:
金属层;以及
对位标记,所述对位标记与所述金属层同层设置,所述对位标记结构包括标记本体、以及形成在所述标记本体上的至少一分割间隙,所述分割间隙将所述标记本体分割为多个子部。
可选地,在一些实施例中,所述分割间隙位于所述标记本体的相对设置的两个侧边之间,并由所述两个侧边中的其中一个延伸所述两个侧边中的另一个。
可选地,在一些实施例中,所述分割间隙包括垂直相交的第一分割间隙和第二分割间隙;
其中所述第一分割间隙位于所述标记本体的沿长度方向相对设置的两个侧边之间;以及,
所述第二分割间隙位于所述标记本体的沿长度方向相对设置的两个侧边之间。
可选地,在一些实施例中,所述第一分割间隙的间隙宽度为1μm-2μm,所述第二分割间隙的间隙宽度为1μm-4μm。
可选地,在一些实施例中,多个所述子部相互独立。
可选地,在一些实施例中,多个所述子部的面积相同或不相同。
可选地,在一些实施例中,所述子部的宽度的范围为1μm-2μm,所述子部的长度的范围为4μm-6μm。
相应地,本申请还提供一种显示面板所述显示面板包括本申请的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的