[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

有源图案，包括彼此分隔开的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；

第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；

第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及

栅极结构，在有源图案上，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间，并且包括栅电极，

其中，相对于作为基准参考水平的有源图案的顶表面，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且

其中，从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

层间绝缘膜，在第一源极/漏极接触件的顶表面上，

其中，层间绝缘膜的顶表面与栅极结构的顶表面基本上共面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

气隙，在第一源极/漏极填充膜与栅极结构之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，相对于有源图案的顶表面，第一源极/漏极填充膜的顶表面比栅电极的顶表面低。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，从有源图案的顶表面到第二源极/漏极接触件的顶表面的高度等于从有源图案的顶表面到栅极结构的顶表面的高度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

第二源极/漏极接触件包括第二源极/漏极阻挡膜和在第二源极/漏极阻挡膜上的第二源极/漏极填充膜，并且

第二源极/漏极填充膜具有一体结构。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，相对于有源图案的顶表面，第二源极/漏极阻挡膜的顶表面比栅电极的顶表面低。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

第二源极/漏极接触件包括下源极/漏极接触件和在下源极/漏极接触件上的上源极/漏极接触件，并且

下源极/漏极接触件包括下源极/漏极阻挡膜和在下源极/漏极阻挡膜上的下源极/漏极填充膜。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，从有源图案的顶表面到下源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到下源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

第一源极/漏极图案在第一方向上与第二源极/漏极图案分隔开，

第一源极/漏极填充膜包括下部和在下部上的上部，下部被第一源极/漏极阻挡膜围绕，并且

第一源极/漏极填充膜的上部的宽度在远离第一源极/漏极图案的方向上减小。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，相对于有源图案的顶表面，第一源极/漏极阻挡膜的顶表面比有源图案的顶表面高且比栅电极的顶表面低。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，有源图案是鳍型图案。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，有源图案包括片状图案。