[发明专利]一种逆导SiC MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种逆导SiC MOSFET器件，其特征在于：包括n型衬底（1）、n型缓冲层（2）、n型漂移区（3）、n型电流扩展层（4）、p阱区（5）、n⁺源区（6）、p⁺源极接触区、p⁺漏极接触区（8）、栅氧化层（9）、多晶硅栅（10）、隔离介质层（11）、源电极（12）和漏电极（13），其中p⁺源极接触区位于SiC MOSFET器件源极一侧，p⁺漏极接触区（8）位于SiC MOSFET器件漏极一侧；

所述n型衬底（1）上表面上方自下而上依次设置有n型缓冲层（2）、n型漂移区（3）和n型电流扩展层（4），n型电流扩展层（4）上表面内包裹设置若干p阱区（5），每个p阱区（5）上表面嵌有n⁺源区（6），n⁺源区（6）上表面与p阱区（5）上表面、n型电流扩展层（4）上表面齐平，n⁺源区（6）下表面高于p阱区（5）下表面；

p⁺源极接触区包括第一p⁺源极接触区和第二p⁺源极接触区；

每个p阱区（5）上表面的n⁺源区（6）内侧设置有第一p⁺源极接触区，第一p⁺源极接触区上表面和下表面分别与n⁺源区（6）上表面和下表面齐平，第一p⁺源极接触区外侧侧壁与n⁺源区（6）内侧侧壁相接触，第一p⁺源极接触区向内侧延伸至n型电流扩展层（4）中但不封闭n型电流扩展层（4）上表面；

相邻的p阱区（5）之间的n型电流扩展层（4）的上表面设置有第二p⁺源极接触区，第二p⁺源极接触区上表面与n型电流扩展层（4）上表面齐平，第二p⁺源极接触区下表面与n⁺源区（6）下表面齐平；

p阱区（5）之间n型电流扩展层（4）上表面、p阱区（5）上表面和部分n⁺源区（6）上表面覆盖栅氧化层（9），栅氧化层（9）上表面覆盖有多晶硅栅（10），多晶硅栅（10）侧壁与栅氧化层（9）侧壁齐平；多晶硅栅（10）上表面、多晶硅栅（10）的侧壁、栅氧化层（9）的侧壁和部分n⁺源区（6）上表面、部分第二p⁺源极接触区上表面覆盖有隔离介质层（11）；隔离介质层（11）上表面、隔离介质层（11）的侧壁、n⁺源区（6）上表面、第一p⁺源极接触区上表面、第二p⁺源极接触区上表面以及n型电流扩展层（4）上表面覆盖源电极（12），源电极（12）与n⁺源区（6）上表面和第一p⁺源极接触区上表面、第二p⁺源极接触区上表面呈欧姆接触性质，源电极（12）与n型电流扩展层（4）上表面呈肖特基性质；

所述n型衬底（1）下表面间隔设置有p⁺漏极接触区（8），p⁺漏极接触区（8）向上延伸至n型缓冲层（2）内，n型衬底（1）下方和p⁺漏极接触区（8）下方覆盖漏电极（13），漏电极（13）与n型衬底（1）表面和p⁺漏极接触区（8）表面均呈欧姆接触性质。

2.根据权利要求1所述的一种逆导SiC MOSFET器件，其特征在于：n型衬底（1）下表面和p⁺漏极接触区（8）下表面齐平，n型衬底（1）下表面和p⁺漏极接触区（8）下表面覆盖漏电极（13），漏电极（13）与n型衬底（1）下表面和p⁺漏极接触区（8）下表面均呈欧姆接触性质。