[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

搬入工序，将衬底搬入处理室；

膜处理工序，在将设置于所述处理室的上游的簇射头所具备的分散板用簇射头加热器加热的同时，经由所述分散板向所述处理室内的所述衬底供给气体，并且将所述气体从所述处理室排气；

搬出工序，将所述衬底从所述处理室搬出；

温度测定工序，在接下来待处理的所述衬底的搬入前测定所述簇射头的温度；和

温度调节工序，在所述温度测定工序后，对所述簇射头的温度与预先设定的温度信息进行比较，在所述簇射头的温度与预先设定的温度之差比规定值大的情况下，以使设置于所述簇射头的簇射头加热器工作从而接近所述预先设定的温度的方式进行控制。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述簇射头加热器以使所述膜处理工序中的所述分散板的边缘部的温度比所述温度调节工序中的所述边缘部的温度高的方式进行加热。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述簇射头中，在所述分散板的上方设置有电极，

在所述膜处理工序中，所述簇射头加热器以使所述电极的下方区域的温度比其他区域高的方式被控制。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述膜处理工序中，在将所述衬底载置于配置在所述簇射头的下方的衬底载置部的状态下，从所述衬底载置部的外周排气。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述簇射头加热器以使所述膜处理工序中的所述分散板的中心温度比所述膜处理工序中的所述分散板的边缘部的温度低的方式进行加热。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述簇射头中，在所述分散板的上方设置有电极，

在所述膜处理工序中，所述簇射头加热器以使所述电极的下方区域的温度比其他区域高的方式被控制。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述膜处理工序中，在将所述衬底载置于配置在所述簇射头的下方的衬底载置部的状态下，从所述衬底载置部的外周排气。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述膜处理工序中，所述簇射头加热器以使所述分散板的边缘部的温度比中央的温度高的方式进行加热。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述簇射头中，在所述分散板的上方设置有电极，

在所述膜处理工序中，所述簇射头加热器以使所述电极的下方区域的温度比其他区域高的方式被控制。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述膜处理工序中，在将所述衬底载置于配置在所述簇射头的下方的衬底载置部的状态下，从所述衬底载置部的外周排气。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述温度调节工序中，所述簇射头加热器以使所述分散板的中央的温度比边缘部高的方式进行加热。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述簇射头中，在所述分散板的上方设置有电极，

在所述膜处理工序中，所述簇射头加热器以使所述电极的下方区域的温度比其他区域高的方式被控制。

13.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述膜处理工序中，在将所述衬底载置于配置在所述簇射头的下方的衬底载置部的状态下，从所述衬底载置部的外周排气。

14.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述簇射头中，在所述分散板的上方设置有电极，

在所述膜处理工序中，所述簇射头加热器以使所述电极的下方区域的温度比其他区域高的方式被控制。