[发明专利]半导体结构钝化方法及设备在审
| 申请号： | 202110971608.9 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113422290A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 惠利省;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01L21/56;C23C16/02;C23C16/30;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨萌 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 钝化 方法 设备 | ||
1.一种半导体结构钝化方法，其特征在于，所述半导体结构钝化方法包括步骤：
S1.将半导体结构置入到腔室内；
S2.利用氩等离子体轰击半导体结构的腔面；
S3.利用氢等离子体轰击半导体结构的腔面；
S4.向腔室内通入氮等离子体，以使氮等离子体能够在半导体结构腔面上形成氮化物层；
S5.在氮等离子体的环境下，向腔室输入铝源，用于在氮化物层的腔面形成氮化铝过渡层；
S6. 在氮等离子体的环境下，向腔室输入镓源和砷源进行原子沉积，用于在氮化铝过渡层的表面形成铝镓砷钝化层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述半导体结构钝化方法还包括在步骤S1前进行的步骤：
S0.将晶圆解理成多个半导体结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述步骤S2中具体包括：
开启氩气源，利用氩气产生氩等离子体，利用氩等离子体轰击半导体结构的腔面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述步骤S2的轰击持续时间为5分钟-20分钟。
5.根据权利要求1所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述步骤S3中具体包括：
开启氢气源，利用氢气产生氢等离子体，利用氢等离子体轰击半导体结构的腔面。
6.根据权利要求1所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述步骤S3的轰击持续时间为50秒-10分钟。
7.根据权利要求1所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述步骤S5中氮化铝过渡层的厚度为5nm-20nm。
8.根据权利要求1所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述步骤S4、步骤S5和步骤S6中均对腔室内输入氮等离子体。
9.根据权利要求8所述的半导体结构钝化方法，其特征在于，所述步骤S4、步骤S5和步骤S6中氮等离子体的输入量逐渐降低。
10.一种半导体钝化设备，其特征在于，所述半导体钝化设备采用权利要求1-9任意一项所述的半导体结构钝化方法对半导体结构进行钝化处理。
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