[发明专利]显示面板及其制备方法

说明书

本申请公开了一种显示面板及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的上表面制备出第一金属层；在所述第一金属层上制备出有源层和刻蚀阻挡层；以及在所述刻蚀阻挡层的上表面制备出氮掺杂层；在所述氮掺杂层的上表面制备出第二金属层；其中，每一步骤中均只采用一道光罩。本申请的效果在于，简化制备工艺，降低生产成本。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

随着显示市场的不断发展，显示产品对背板薄膜晶体管器件(TFT)的电性及背板的成本提出了更高的要求。特别是在如今显示行业竞争如下激烈的大背景下，基于传统的TFT技术需要设计革命来提升性能、降低成本，以增强在TFT显示技术领域的竞争力。

传统TFT的结构有蚀刻阻挡层型(Etch Stop Layer，ESL)、背沟道蚀刻型(BackChannel Etch，BCE)、顶栅结构型(Top gate)三种结构，其中蚀刻阻挡层型与背沟道蚀刻型的结构类似，工艺相较顶栅结构更简单。因此从成本的角度考量，更倾向于用蚀刻阻挡层型与背沟道蚀刻型的结构来制备薄膜晶体管，但传统的蚀刻阻挡层型结构TFT比背沟道蚀刻型要多一道光罩，因为蚀刻阻挡层需要通过黄光制程完成图形化，因此工艺较背沟道蚀刻型更复杂，成本更高。

发明内容

本申请的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法，可以解决现有的显示面板的刻蚀阻挡层在制备过程中使用多道光罩，生产成本高昂等技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的上表面制备出第一金属层；在所述第一金属层上制备出有源层和刻蚀阻挡层；以及在所述刻蚀阻挡层的上表面制备出氮掺杂层；在所述氮掺杂层的上表面制备出第二金属层；其中，每一步骤中均只采用一道光罩。

进一步地，在所述基板的上表面制备出第一金属层的步骤之后，所述显示面板的制备方法还包括以下步骤：在所述第一金属层以及所述基板的上表面制备出绝缘层，所述有源层设于所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧。

进一步地，在所述第一金属层上制备出有源层和刻蚀阻挡层的步骤包括：在所述绝缘层上依次沉积出有源层材料和刻蚀阻挡层材料，所述有源层材料位于所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述刻蚀阻挡层材料位于所述有源层材料远离所述绝缘层的一侧；第一次蚀刻处理所述有源层材料和所述刻蚀阻挡层材料，蚀刻后留下的光刻胶位于所述刻蚀阻挡层材料远离所述有源层材料的一侧，且所述光刻胶、所述刻蚀阻挡层材料以及所述有源层材料为依次叠放的台状结构；第二次蚀刻处理所述光刻胶的边缘部分，露出部分刻蚀阻挡层材料；第三次蚀刻处理所述刻蚀阻挡层材料，去除露出部分的刻蚀阻挡层材料，形成刻蚀阻挡层；以及剥离所述光刻胶并导体化处理所述有源层材料裸露的部分，形成有源层。

进一步地，在所述刻蚀阻挡层的上表面制备出氮掺杂层的步骤包括以下步骤：在所述刻蚀阻挡层、所述有源层以及所述绝缘层的上表面沉积一层氮掺杂材料；采用黄光工艺，去除部分覆盖在所述绝缘层上的氮掺杂材料，形成氮掺杂层，所述氮掺杂层覆盖于所述刻蚀阻挡层、所述有源层以及所述绝缘层，与所述刻蚀阻挡层下方的第一金属层相对设置。

进一步地，在所述氮掺杂层的上表面制备出第二金属层的步骤包括以下步骤：在所述氮掺杂层以及所述绝缘层的上表面沉积一层金属材料；蚀刻处理所述金属材料，去除位于所述刻蚀阻挡层上方的部分金属材料，形成第一通孔；蚀刻处理所述氮掺杂层，去除位于所述刻蚀阻挡层上方的部分氮掺杂层，裸露出部分刻蚀阻挡层，形成第二通孔；所述第二通孔与所述第一通孔相对设置，且内径相同。

进一步地，所述显示面板的制备方法还包括以下步骤：在所述第二金属层以及所述第一通孔、所述第二通孔内制备出钝化层。

进一步地，所述显示面板的制备方法还包括以下步骤：贯穿所述钝化层，形成第三通孔，所述第三通孔裸露出部分第二金属层；在所述钝化层的上表面以及所述第三通孔内沉积一层氧化铟锡薄膜；蚀刻处理所述氧化铟锡薄膜，形成像素电极层。