[发明专利]一种哈氏合金材料抛光方法在审

专利信息
申请号: 202110968856.8 申请日: 2021-08-23
公开(公告)号: CN113649934A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 董兴玉;刘民 申请(专利权)人: 常州容导精密装备有限公司
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;B24B9/04;B24B27/00;B24B27/033;B24B55/00;B24B55/06;B24B57/04
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地址: 213363 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 合金材料 抛光 方法
【说明书】:

发明涉及一种哈氏合金材料抛光方法,包括如下步骤:S1、将哈氏合金材料部件固定安装在治具中;S2、在抛光机上用100#百叶轮对哈氏合金材料的表面进行粗抛处理;S3、使用P240‑P800尼龙轮对上述步骤S2抛光后的材料进行中抛处理;S4、用麻轮对上述步骤S3抛光后的材料进一步精抛处理,抛光过程中需不断向抛光轮上均匀涂覆氧化铝抛光膏;S5、换成羊毛轮对上述步骤S4抛光后的材料进行进一步镜抛处理,抛光过程中需不断向羊毛轮上涂覆颗粒度较小的二氧化硅抛光膏。本发明方法抛光后材料表面粗糙度Ra≤0.04μm。

技术领域

本发明涉及金属材料表面处理领域,特别是应用在半导体行业中哈氏合金材料抛光方法。

背景技术

目前,应用在半导体行业的前驱体容器大多采用不锈钢材料制成,但是由于不锈钢材质的容器容易析出杂质元素、不耐腐蚀等缺点,哈氏合金材质的包装容器在耐腐蚀及不易析出杂质元素等方面相比不锈钢材质更胜一筹,使得哈氏合金材质的容器越来越多的被应用于半导体行业。用于包装前驱体材料的包装容器对内表面的镜面要求越来越高以满足内部较高的洁净度。这就需要对容器的内表面进行抛光处理,达到洁净的要求。目前对不锈钢材料的抛光技术研究较多基本上能够实现镜面抛光,但是由于哈氏合金材料特殊的性能使得通过一般的抛光方法还不足以达到半导体要求粗糙度效果,应用在半导体上的哈氏合金材料抛光成为亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题,提供一种新型哈氏合金材料抛光方法,本发明可以快速达到抛光效果,提升抛光效率,并且抛光方法简单可靠。

本发明的技术方案如下:

一种哈氏合金材料抛光方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、将哈氏合金材料部件固定安装在治具中,保证在抛光过程中不晃动、不脱落。

S2、在抛光机上用100#百叶轮对哈氏合金材料的表面进行粗抛处理,去除材料表面的氧化皮、划痕、毛刺表面缺陷;

S3、使用P240-P800尼龙轮对上述步骤S2抛光后的材料进行中抛处理,去除上一步骤中的粗纹路;

S4、用麻轮对上述步骤S3抛光后的材料进一步精抛处理,抛光过程中需不断向抛光轮上均匀涂覆氧化铝抛光膏,去除上一步骤中的产生的细小纹路以及深度清除抛光表面残留的砂眼或砂印,进一步清除工件表面上的细微不平;

S5、换成羊毛轮对上述步骤S4抛光后的材料进行进一步镜抛处理,抛光过程中需不断向羊毛轮上涂覆颗粒度较小的二氧化硅抛光膏,增加抛光面的亮度,使其具有更高的光泽;

S6、将上述步骤S5抛光后的哈氏合金材料部件浸泡在除蜡剂溶液中10min,浸泡时间结束后取出哈氏合金材料部件用清水清洗干净,并用酒精擦拭其表面,并用干燥压缩空气吹干,以除去表面残留水分。

进一步的,所述步骤S2中粗抛时转速为200-300r/min。

进一步的,所述步骤S3中抛光时转速为200-300r/min。

进一步的,所述步骤S4抛光时转速为100-150r/min。

进一步的,所述步骤S5抛光时转速为60-120r/min。

进一步的,所述步骤S6中用于浸泡哈氏合金材料部件的除蜡剂溶液温度为50-80℃。

进一步的,按重量分数计,所述氧化铝抛光膏包括以下组分:氧化铝微粉20-30份,二氯异氰酸钠3-5份、丙烯乙二醇2-5份、硬脂酸3-6份、磷酸1-2份、表面活性剂2-6份、石蜡3-8份、水40-60份。

进一步的,按重量分数计,所述二氧化硅抛光膏包括以下组分:氧化铝微粉20-30份,二氯异氰酸钠3-5份、丙烯乙二醇2-5份、硬脂酸3-6份、表面活性剂2-6份、石蜡3-8份、水40-60份。

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